Tentando aprender a traduzir a partir dos exemplos de tradução humana.
A partir de tradutores profissionais, empresas, páginas da web e repositórios de traduções disponíveis gratuitamente
topografie eines halbleitererzeugnisses (ntsp)
topografia układu scalonego (ntsp)
Última atualização: 2014-11-18
Frequência de uso: 1
Qualidade:
die geschäftliche verwertung und die für diesen zweck erfolgende einfuhr einer topographie oder eines halbleitererzeugnisses, das unter verwendung dieser topographie hergestellt wurde.
korzystanie w celach handlowych lub przywożenie w tym celu topografii lub produktu półprzewodnikowego wytworzonego z zastosowaniem tej topografii.
Última atualização: 2014-10-19
Frequência de uso: 1
Qualidade:
»topographie" eines halbleitererzeugnisses eine reihe in verbindung stehender bilder, unabhängig von der art ihrer fixierung oder kodierung,
"topografia" produktu półprzewodnikowego oznacza serię odwzorowań, jakkolwiek utrwalonych czy zakodowanych:
Última atualização: 2014-10-19
Frequência de uso: 1
Qualidade:
Aviso: contém formatação HTML invisível
b) die geschäftliche verwertung und die für diesen zweck erfolgende einfuhr einer topographie oder eines halbleitererzeugnisses, das unter verwendung dieser topographie hergestellt wurde.
b) korzystanie w celach handlowych lub przywożenie w tym celu topografii lub produktu półprzewodnikowego wytworzonego z zastosowaniem tej topografii.
Última atualização: 2014-10-23
Frequência de uso: 2
Qualidade:
b) »topographie" eines halbleitererzeugnisses eine reihe in verbindung stehender bilder, unabhängig von der art ihrer fixierung oder kodierung,
b) "topografia" produktu półprzewodnikowego oznacza serię odwzorowań, jakkolwiek utrwalonych czy zakodowanych:
Última atualização: 2014-10-23
Frequência de uso: 2
Qualidade:
Aviso: contém formatação HTML invisível
besteht die topographie eines halbleitererzeugnisses aus komponenten, die in der halbleiterindustrie alltäglich sind, so wird sie nur insoweit geschützt, als die kombination dieser komponenten in ihrer gesamtheit die vorstehend genannte voraussetzung erfüllt.
w przypadku gdy topografia produktu półprzewodnikowego składa się z elementów powszechnie znanych w przemyśle półprzewodników, chroniona jest jedynie w takim zakresie, w jakim kombinacja tych elementów jako całość wypełnia wyżej wskazane warunki.
Última atualização: 2014-10-19
Frequência de uso: 1
Qualidade:
die mitgliedstaaten können bestimmen, daß die ausschließlichen rechte nach artikel 2 nicht entstehen oder für die topographie eines halbleitererzeugnisses nicht fortbestehen, wenn nicht innerhalb von zwei jahren nach der ersten geschäftlichen verwertung der topographie bei einer behörde einordnungsgemässer antrag auf eintragung gestellt wurde.
państwa członkowskie mogą postanowić, że wyłączne prawa przyznawane zgodnie z art. 2 nie powstają lub nie mają dłużej zastosowania do topografii produktu półprzewodnikowego, chyba że wniosek o rejestrację sporządzony we właściwej formie został złożony władzy publicznej w okresie dwóch lat od jej pierwszego wykorzystania w celach handlowych.
Última atualização: 2014-10-23
Frequência de uso: 2
Qualidade:
wer beim kauf eines halbleitererzeugnisses nicht gewusst hat oder keinen hinreichenden grund zu der annahme gehabt hat, daß das erzeugnis durch ein von einem mitgliedstaat gemäß dieser richtlinie gewährtes ausschließliches recht geschützt ist, wird nicht daran gehindert, das erzeugnis geschäftlich zu verwerten.
dla osoby, która nabywając produkt półprzewodnikowy nie wie lub nie ma uzasadnionych powodów, aby sądzić, że produkt chroniony jest prawem wyłącznym przyznanym przez państwo członkowskie zgodnie z niniejszą dyrektywą, nie stanowi to przeszkody w korzystaniu z tego produktu w celach handlowych.
Última atualização: 2014-10-23
Frequência de uso: 2
Qualidade:
gestützt auf die richtlinie 87/54/ewg des rates vom 16. dezember 1986 über den rechtsschutz der topographien von halbleitererzeugnissen (1), insbesondere auf artikel 3 absatz 7,
uwzględniając dyrektywę rady 87/54/ewg [1] z dnia 16 grudnia 1986 r. w sprawie ochrony prawnej topografii produktów półprzewodnikowych, w szczególności jej art. 3 ust. 7,
Última atualização: 2014-10-23
Frequência de uso: 7
Qualidade: