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c'est pourquoi on définit les côtés de dérrangement de bore comme accepteurs.
due to this reason, the boron impurities are also called acceptors.

sur la gauche de la couche limite on voit l'atome de dérrangement du phosphore avec des électrons exédentaires et sur la droite de cette couche limite on trouve d'autres atomes bore avec des trous électroniques libres.
at the left side of the barrier layer the phosphor-impurity atoms with excessive electrons are visible and at the right of the barrier layer, there are further boron-atoms with free electron holes.

qu'est ce qui se passe? d'une partie seront les électrons exédentaires du semi-conducteur n attirés de la part des parties de dérrangement positivement chargées du semi-conducteur p. d'une autre partie repousse le semi-conducteur chargé négativement les électrons, car le négatif ne supporte pas le négatif.
what happens? on the one hand, the excessive electrons of the n-semiconductor are attracted by the positively charged impurities of the p-semiconductor. on the other hand, the overall negatively charged p-semiconductor rejects the electrons, as, as known, negative elements do not get along with negative elements.