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2, rue de maleville
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on peut également lire à ce sujet l'article de c. maleville, o. rayssac, h. moriceau et al., proc.
see, e.g., c. maleville, o. rayssac, h. moriceau et al., in proc.

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en effet, comme on peut le constater dans c. maleville et al., semiconductor wafer bonding, science technology and application iv, pv 97-36, 46 the electrochemical society proceedings séries, pennington, nj (1998), une différence de température de recuit après collage d'une centaine de degré peut mener, surtout dans le domaine des températures au delà de 800°c à une variation significative de l'énergie de collage. cette alternative peut-être utilisée seule ou en combinaison d'une rugosification d'une couche intermédiaire au moins 12 et 13 ou seule, (c'est à dire sans étape de rugosification du tout).
as reported in c. malevill et al., semiconductor wafer bonding, science technology and applications iv, pv 97 - 36 , 46 , the electrochemical society proceedings series, pennington, n.j. (1998), a 100° c. annealing temperature difference after bonding can significantly vary the bonding energy, especially in the range of temperatures beyond 800° c. this alternative can be used in combination with roughening at least one intermediate layer 12 or 13 , or alone (i.e. with no step of roughening everything).