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mbc3
mbc3
Última atualização: 2014-05-04
Frequência de uso: 1
Qualidade:
Referência:
de minimum de bande de conduction respectif mbc2 et mbc3
minimum of respective conduction band mbc2 and mbc3
Última atualização: 2011-07-27
Frequência de uso: 1
Qualidade:
Referência:
avec mbc2 supérieure à mbc1 et mbc3 et la couche c2 présente une épaisseur inférieure à 20 nm
wherein the mbc2 is greater that mbc1 et mbc3 and the layer thickness is less than 20 nm
Última atualização: 2011-07-27
Frequência de uso: 1
Qualidade:
Referência:
le dispositif de passivation comporte au moins une cellule élémentaire (52) comprenant elle- même au moins une couche barrière c2 disposée sur la couche c1 et une couche de collection c3 disposée sur la couche c2, de minimum de bande de conduction respectif mbc2 et mbc3, avec mbc2 supérieure à mbc1 et mbc3 et la couche c2 présente une épaisseur inférieure à 20 nm ; cette cellule (52) vise à éviter une accumulation d'électrons dans le dispositif de passivation (50) au cours du fonctionnement du composant
the passivation device comprises at least one elementary cell (52) which is provided with at least one barrier layer (c1) and a collection layer (c2) placed on the layer (c1) and a collection layer (c3) placed on the layer (c2), minimum of respective conduction band mbc2 and mbc3, wherein the mbc2 is greater that mbc1 et mbc3 and the layer (c2) thickness is less than 20 nm, the cell (52) is used for avoiding an accumulation of electrons in the passivation device (50) during the component operation
Última atualização: 2014-12-03
Frequência de uso: 1
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