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gaalas laser
lasers gaalas

laser, gaalas
lasers gaalas

gaas/gaalas heterojunction
hétérojonction gaas/gaalas

gaas/gaalas heterojunction structures
structures à hétérojonction gaas/gaalas

ohmic contacts for gaas and gaalas
contact ohmique pour gaas et gaalas

curve i relates to gaalas and curve ii to cdmnte.
la courbe i est relative au gaalas et la courbe ii au cdmnte.

method of forming an ohmic electrode on an gaalas layer
procédé pour la fabrication d'une electrode ohmique sur une couche de gaalas

this latter effect was negligible for a gaas–gaalas superlattice.
les corrections apportées à la structure de bandes, pour un superréseau gaas–gaalas sont négligeables.

this structure is inserted between two buffer layers of gaalas designated 52 and 54.
cette structure à multipuits quantiques est insérée entre deux couches tampons en gaalas référencées 52 et 54.

in the foregoing, we have described the exemplary case of the gaas/gaalas laser.
on a décrit ci-dessus le cas du laser gaas/gaalas comme exemple.

in another preferred embodiment, a stack of alternate gaas layers and gaalas layers is used.
dans une autre réalisation préférée, on empile des couches de l'asga alternées avec des couches de l'algaas.

for a gaalas heterostructure, use is made of gaalas with a al concentration different from that of layer 4.
pour une hétérostructure en gaalas, on utilise du gaalas avec une concentration en al différente de celle de la couche 4.

the facets of the gaas/gaalas lasers are constituted by at least 99% of algaas.
les facettes des lasers gaas/gaalas sont constituées d'au moins 99% de algaas.

a luminescent diode, based on gaalas comprises a window layer with reduced thickness and doped throughout with si or sn
une diode électroluminescente à base de gaalas, présentant une couche fenêtre d'épaisseur réduite, dopée en continu au si ou sn

another layer of gallium aluminium arsenide (gaalas) covers each of the strips forming the guides.
une autre couche d'arsé­ niure de gallium et d'aluminium (gaalas) couvre chacun des ru­ bans formant les guides.

a low resistance ohmic contact for n-type gaas and gaalas is provided by ni-ge-au structure
un contact ohmique à faible résistance pour gaas et gaalas de type n est fourni par une structure au ni-ge-au

according to this example, the "epitaxiated" quantum well heterostructure is constituted of gaas/gaalas alternations.
selon le présent exemple, l'hétérostructure à puits quantiques épitaxiés est constituée d'alternances gaas/gaalas.

in order to form moreover a heterostructure, the layer 13a will preferably consist of gallium aluminium arsenide (gaalas).
pour former en outre une hétérostructure, la couche 13a sera de préférence en arséniure de gallium et d'aluminium (gaalas).

[0076] this micro-disk 1000 is placed on an elongated base made of gaalas, itself placed on a gaas substrate.
ce microdisque 1000 est disposé sur un pied allongé en gaaias, lui- même disposé sur un substrat en gaas.

detailed description of the preferred embodiments the description of the invention relates to gaas-gaalas materials on a n.sup.+ substrate.
l'invention sera décrite dans le cas des ma­ tériaux gaas-gaalas sur substrat n⁺.