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that is in-plane variations in grown-in defect size
c'est-à-dire, des variations dans le plan de la taille de croissance des défauts

compositions useful to prevent in-grown hair arising from shaving
compositions utiles pour prevenir les poils incarnes causes par le rasage

no razor burn, no in-grown hairs (i do get these with razors).
pas de feu du rasoir, les poils ne cultive en (je reçois ces avec des rasoirs).

in contrast, respiration in -grown cells was saturated by o2 between 8 and 10 μm o2.
a l'opposé, la respiration des cellules croissant en présence de fut saturée de o2 entre 8 et 10 μm de o2.

some softwood grades permit the inclusion of knots as long as they are tight or in-grown.
certaines qualités de résineux autorisent cependant les nœuds sains et adhérents.

the method and composition allows for comfortable shaving of skin by minimizing the problem of in-grown hair.
le procédé et la composition selon l'invention rendent le rasage plus confortable, en réduisant au minimum le problème des poils incarnés.

he will enjoy playing the role of a parent and playing dress-up in grown-up clothes.
il aimera jouer le rôle de parent, et s'habiller comme les adultes.

if it doesn't then you probably have a skin tag or an in-grown hair or something of that sort.
si cela ne se produit pas, il y a de fortes chances que vous ayez un acrochordon, un poil incarné, ou quelque chose du genre.

a method and composition is provided for managing in-grown hair which involves applying to those areas malonic acid or a salt thereof in a carrier
l'invention a trait à un procédé et à une composition permettant d'éliminer les poils incarnés, ledit procédé consistant à appliquer, sur les zones concernées, de l'acide malonique ou un sel de ce dernier contenus dans un excipient

a method and composition is provided for managing in-grown hair which involves applying to those areas malonic acid or a salt thereof in a carrier.
l'invention a trait à un procédé et à une composition permettant d'éliminer les poils incarnés, ledit procédé consistant à appliquer, sur les zones concernées, de l'acide malonique ou un sel de ce dernier contenus dans un excipient.

accordingly, under basal conditions the overall re-incorporation of carbon atoms into newly released glucose in pups is nearly identical with that found in grown dogs.
par conséquent, dans les conditions basales, la réincorporation totale des atomes de carbone dans le glucose néoformé est sensiblement la même chez les chiots et chez les chiens adultes.

well being smoothen your skin redness skin area and then soften locks follicles and also in-grown scalp (if you have had a handful of).
bien-être lisser votre zone de rougeur de la peau de la peau et ensuite adoucir serrures follicules et le cuir chevelu aussi cultivé (si vous avez eu une poignée de).

by means of injection of iasocholine®, especially bone metastases in grown-ups can be located more easily and live-saving measures can be initiated more quickly.
avec l’injection de iasocholine® il est possible de localiser facilement les métastases osseuses et ainsi prendre immédiatement les mesures nécessaires à la survie du patient.

do not land in grown crop fields. if you do have to, offer to pay for crop damage, if any (say $5 - $10).
si vous devez le faire, offrez de payer les dommages à la culture s'il y en a (disons $5 - $10).

a method and composition is provided for managing in-grown hair which involves applying to those areas malonic acid or a salt thereof in a carrier. the method and composition allows for comfortable shaving of skin by minimizing the problem of in-grown hair.
l'invention a trait à un procédé et à une composition permettant d'éliminer les poils incarnés, ledit procédé consistant à appliquer, sur les zones concernées, de l'acide malonique ou un sel de ce dernier contenus dans un excipient. le procédé et la composition selon l'invention rendent le rasage plus confortable, en réduisant au minimum le problème des poils incarnés.

a method of producing a silicon wafer for producing by a cz method a silicon wafer from a silicon single crystal pulled up after doping nitrogen, and heat treating the silicon wafer, wherein a growing-up is effected under a condition that a ratio v/g of a silicon single crystal pulling-up velocity v(mm/min)to a temperature gradient g(k/mm) at the solid-liquid interface is 0.175-0.225 mm2/kmin within a range of at least 90% in a pulled-up crystal diameter direction; and a silicon wafer produced by this production method, whereby the method of producing a silicon wafer and such a silicon wafer are suitable for producing an anneal wafer having sufficient non-defect layers and bmd density uniformly within a plane while restricting in-plane variations in non-defect layer encountered in an anneal wafer after heat treating ( that is in-plane variations in grown-in defect size) and in-plane variations in bmd density after heat treating such as precipitation heat treating and device heat treating.
l'invention concerne un procédé de fabrication d'une tranche de silicium permettant de fabriquer une tranche de silicium selon procédé de czochralski, à partir d'un monocristal de silicium étiré après avoir été dopé à l'azote. le procédé consiste également à appliquer un traitement thermique à la tranche de silicium; une croissance se produisant pour autant que le rapport v/g de la vitesse v (mm/min) d'étirage du monocristal de silicium par rapport au gradient g (k/mm) de température à l'interface solide-liquide soit compris entre 0,175 et 0,225 mm2/kmin sur un parcours d'au moins 90 % du diamètre d'un monocristal étiré. l'invention concerne également une tranche de silicium fabriquée selon ce procédé de fabrication. le procédé de fabrication, et la tranche de silicium ainsi obtenue, permettent de fabriquer une plaquette de recuit présentant suffisamment de couches sans défaut et une densité bmd uniforme dans le plan, tout en empêchant les variations dans le plan de la couche sans défaut déposée sur la plaquette de recuit après traitement thermique (c'est-à-dire, des variations dans le plan de la taille de croissance des défauts) et les variations dans le plan de la densité bmd après traitement thermique, tel que le traitement thermique des précipitations et le traitement thermique du dispositif.