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Вы искали: sem micrograph of as recived powder ... (Английский - Французский)

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The SEM micrograph of RTP powder is with sheet shape and irregular.

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La micrographie SEM de poudre RTP est avec la forme de la feuille et irrégulière.

Последнее обновление: 2018-02-13
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SEM micrographs of cathodic deposit surfaces are shown.

Французский

Les micrographies obtenues par microscopie électronique à balayage (MEB) des surfaces de dépôt cathodique sont incluses.

Последнее обновление: 2015-05-14
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All the figures are SEM micrographs of the examples.

Французский

L'ensemble des figures sont des clichés pris au MEB des exemples.

Последнее обновление: 2014-12-03
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7 and 8 are SEM micrographs of the absorbent layer used in the embodiments of the invention.

Французский

Les figures 7 et 8 sont des photographies prises au MEB de la couche absorbante utilisée dans les modes de réalisation de l'invention.

Последнее обновление: 2014-12-03
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FIG. 28 is an SEM micrograph of trenches in a coupon showing the formation, on TiN, of a copper seed layer, estimated to be about 10 nm in thickness, obtained from an electrografted aryldiazonium film.

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La Figure 28 : Cliché en microscopie électronique à balayage de la tranche d'un coupon montrant la formation, sur TiN, d'une couche de germination de cuivre, estimée à 10 nm environ, obtenue à partir d'un film d' aryldiazonium électro-greffé .

Последнее обновление: 2014-12-03
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FIG. 29 is an SEM micrograph of trenches in a coupon showing the filling, with copper, of 0.22 μm trenches having a seed layer obtained beforehand by electrografting a palladium-metallized aryldiazonium. FIG.

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La Figure 29 : Cliché en microscopie électronique à balayage de la tranche d'un coupon montrant le remplissage, par du cuivre, de tranchées de 0,22 →m portant une couche de germination préalablement obtenue par électro-greffage d'un aryldiazonium métallisé par du palladium.

Последнее обновление: 2014-12-03
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FIG. 32 is an SEM micrograph of trenches in a coupon showing the filling, with copper, of 0.22 μm trenches bearing a seed layer obtained beforehand by electrografting from a solution of 4-VP and copper precursors.

Французский

La Figure 32 : Cliché en microscopie électronique à balayage de la tranche d'un coupon montrant le remplissage, par du cuivre, de tranchées de 0,22 →m portant une couche de germination préalablement obtenue par électro-greffage à partir d'une solution de 4-VP et de précurseurs de cuivre.

Последнее обновление: 2014-12-03
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FIG. 5 is a secondary-electron SEM micrograph of the composite containing no blocking agent (magnification: ×3000; grain size between 2 and 10 μm).

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La figure 5 est une micrographie MEB réalisée en électrons secondaires du matériau ne contenant pas d'agent bloquant (grossissement : x 3 000 ; taille des grains entre 2 et 10 μm).

Последнее обновление: 2014-12-03
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FIG. 25 is an SEM micrograph of a trench in a silicon substrate with no etched features (planar surface) coated with a titanium nitride barrier layer of about 10 nm and with an electrografted P4VP film serving for producing a seed layer according to the present invention, showing the conformality of the coating.

Французский

La figure 25 est une micrographie de microscopie électronique à balayage (MEB) d'une tranche d'un substrat de silicium sans gravures (surface plane) revêtu d'une couche barrière de nitrure de titane de 10 nm environ, et d'un film de P4VP électro-greffé servant à l'élaboration d'une couche de germination selon la présente invention, montrant la conformité du revêtement.

Последнее обновление: 2014-12-03
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[0113] The average thicknesses to be considered were: [0114] layer (DL) [(8 mol % YSZ)]: 0.5 to 1.5 mm [0115] tie layer (TL) and (TL′) [YSZ (8 mol %)] solid electrolyte: 10-100 μm [0116] electrodes (PE) and (PE′) (LSM layers): 60-70 μm; [0117] cathode current collector (CC) (Ag-LSM): 100-120 μm [0118] anode current collector (CC′) (Au-LSCoFe): 50-100 μm [0119] protective layer (CL) (LSCoFe): 50-90 μm [0120]FIGS. 1B to 1 D show SEM micrographs of the microstructures of various gold-based anode current collectors of the cell described above in terms of the sizes and shapes of particles and surface states.

Французский

Les épaisseurs moyennes à considérer sont : couche (CD) [YSZ (8% mol)] : 0.5 à 1.5 mm couche d'accrochage (CA )et (CA) [YSZ (8% mol.)] electrolyte solide : 10-100 μm électrodes (EP) et (EP') (couches LSM); 60-70 μm ; collecteur de courant cathodique (CC) (Ag-LSM) : 100-120 μm collecteur de courant anodique (CC) (Au-LSCoFe) : 50 -100 μm couche protectrice (ER) (LSCoFe) : 50 - 90 μ m. Les figures 1 B à 1 D représentent les photos MEB des microstructures de divers collecteurs de courant anodique à base d'or de la cellule décrite précédemment en terme de tailles et formes de particules et d'états de surface.

Последнее обновление: 2014-12-03
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FIG. 26 is an SEM micrograph of a trench in a silicon substrate with etched features, the trench being coated with a titanium nitride barrier layer of about 10 nm, with a seed film based on an electro-grafted diazonium salt and with a copper layer formed from, and on, the seed layer, showing the conformality of the copper coating on the etched features.

Французский

La figure 26 est une micrographie de microscopie électronique à balayage (MEB) d'une tranche d'un substrat de silicium avec gravures revêtu d'une couche barrière de nitrure de titane de 10 nm environ, d'un film de germination a base d'un sel de diazonium électro-greffé, et d'une couche de cuivre formée à partir de, et sur, la couche de germination, montrant la conformité du revêtement de cuivre sur les gravures.

Последнее обновление: 2014-12-03
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FIGS. 22 and 23 are SEM micrographs of a silicon substrate having regular etched features in the form of trenches about 200 nm in width, spaced apart by 300 nm, and having a depth of 400 nm, these being coated with a titanium nitride barrier layer of about 10 nm and coated with a film of an electrografted diazonium salt serving for the production of a seed layer according to the present invention, showing the conformality of the coating. In FIG. 22 , the is magnification is ×60000 and in FIG.

Французский

Il s'agit d'un grossissement xlOOOOO (figure 20) (l'échelle est indiquée par les pointillés et la cote 300 nm sur la micrographie) et d'un grossissement xl50000 (figure 21) (l'échelle est indiquée par les pointillés et la cote 200 nm sur la micrographie) . - Les figures 22 et 23 sont des micrographies de microscopie électronique à balayage (MEB) d'un substrat de silicium présentant des gravures régulières sous forme de tranchées de 200 nm de largeur environ, espacées de 300 nm, et ayant une profondeur de 400 nm revêtues d'une couche barrière de nitrure de titane de 10 nm environ, et revêtues d'un film d'un sel de diazonium électro-greffé servant à l'élaboration d'une couche de germination selon la présente invention, montrant la conformité du revêtement.

Последнее обновление: 2014-12-03
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7 is a secondary-electron SEM micrograph of the La 0.6 Sr 0.4 Fe 0.9 Ga 0.1 O 3−δ composite containing 5 vol % magnesium oxide as blocking agent (magnification: ×50000; grain size between 0.2 and 1.6 μm).

Французский

La figure 7 est une micrographie MEB réalisée en électrons secondaires du maté- riau Lao.eSrc/iFeo.gGarj Os.δ contenant 5% vol d'oxyde de magnésium comme agent bloquant (grossissement : x 50 000 ; taille des grains entre 0,2 et 1,6 μm).

Последнее обновление: 2014-12-03
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The sintering step was carried out in nitrogen for 2 hours at 1235° C. (composite of the prior art). FIG. 6 is a secondary-electron SEM micrograph of the La 0.6 Sr 0.4 Fe 0.9 Ga 0.1 O 3−δ composite containing 5 vol % magnesium oxide as blocking agent (magnification: ×20000; grain size between 0.1 and 1 μm).

Французский

L'étape de frittage a été réalisée sous azote pendant 2 heures à 1235 °C . (matériau de l'état de la technique) La figure 6 est une micrographie MEB réalisée en électrons secondaires du matériau Lao, 6 Sro, Feo, 9 Gao,ιO 3-δ , contenant 5% vol de oxyde de magnésium comme agent bloquant (grossissement : x 20 000 ; taille des grains entre 0,1 et 1 μm).

Последнее обновление: 2014-12-03
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[0128] The thermal stability of the microstructure of this alloy at very high temperature is poorer than that of Example 1, as illustrated in FIG. 4 which shows the SEM micrograph of a specimen of the alloy of Comparative Example 1 after 5 hours at 1300° C. and water-quenching.

Французский

La stabilité thermique de la microstructure de cet alliage à très haute température est bien inférieure à celle de l'exemple 1 , comme illustré sur la figure 4, qui représente l'observation au MEB d'un échantillon d'alliage de l'exemple comparatif 1 après 5 heures à 1300°C et trempe à l'eau.

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The electrical properties of the materials were determined firstly by impedance spectroscopy at 150° C. and then by conductivity measurements carried out between 150 and 600° C. Analysis of the SEM micrographs of the first three specimens shows: for specimen (a), a homogeneous microstructure, the maximum grain size of which does not exceed 10 μm; for specimen (b), an inhomogeneous microstructure with the presence of grains of a few tens of microns in size and having cracks.

Французский

Les propriétés électriques des matériaux ont été déterminées par spectroscopie d'impédance dans un premier temps à 150°C puis les mesures de conductivité ont été réalisées entre 150 et 600 °C. L'analyse des photos MEB des trois premiers échantillons révèle: pour l'échantillon (a), une microstructure homogène, la taille maximale des grains ne dépassant pas 10 μm ; pour l'échantillon (b), une microstructure inhomogène avec présence de grains de quelques dizaines de microns présentant des fissures .

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