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movpe growth of iii-v compound semiconductor layers
aufwachsen von iii-v verbindungshalbleiter-schichten mittels movpe

metal-organic gas supply for movpe and mombe.
organo-metall-gas quelle für movpe- und mombe-verfahren.

this system is used for both movpe and mbe application areas.
es wird sowohl im movpe- als auch im mbe-bereich eingesetzt.

process for growing iii-v semiconductor crystal by movpe.
verfahren zum aufwachsen eines iii-v halbleiterkristalles durch movpe.

process for producing semiconductor bodies with a movpe-layer sequence
verfahren zum herstellen von halbleiterkÖrpern mit movpe-schichtenfolge

direct mombe and movpe growth of ii-vi materials on silicon.
direktes mombe und movpe wachstum von ii-vi-material auf silizium.

do you produce optical components with movpe or mbe systems? would you like to specify film thickness accurate to 1 nm and also record the wafer temperature?
sie stellen optische bauelemente in movpe- oder mbe-anlagen her? sie möchten schichtdicken auf 1 nm genau bestimmen und dabei auch die wartetemperatur erfassen?

ultra-low pressure metal-organic vapor phase epitaxy (movpe) method of producing ii-vi semiconductor compounds
movpe mit sehr niedrigem druck zur herstellung von ii-vi helbleiterverbindungen

a semiconductor laser manufacturing method according to claim 2, wherein respective layers from the first layer (4) of the first conduction type cladding layer to the third layer (11) of the second conduction type cladding layer are grown continuously by an movpe method.
halbleiterlaserherstellungsverfahren nach anspruch 2, bei dem jeweilige schichten von der ersten schicht (4) der mantelschicht des ersten leitungstyps bis zu der dritten schicht (11) der mantelschicht des zweiten leitungstyps durch ein movpe-verfahren kontinuierlich wachsen.