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fusi
fusi

the first stress liner is not present atop the fusi gate electrode
la première bande de contrainte n'est pas présente sur le dessus de l'électrode de grille entièrement siliciée

and performing a second fusi gate formation on only the first type gate.
et à former une seconde grille entièrement recouverte d'une couche de siliciure sur la grille d'un premier type.

the fusi is thai the wrong suppliers or contractors tire liable to be chosen.
le premier est le risque de choisir de mauvais fournisseurs ou soustraitants.

alcara li fusi, militello rosmarino, pettineo, san fratello, tusa.
alcara li fusi, militello rosmarino, pettineo, san fratello, tusa.

devices that are compatible with the fusi workfunction have the ge containing layer removed prior to the junction silicidation step
les dispositifs qui sont compatibles avec le travail de sortie fusi ont la couche qui contient du ge éliminée avant l'étape d'application de siliciure de jonction

performing a first fully silicided (fusi) gate formation on only the second type gate
à former une première grille entièrement recouverte d'une couche de siliciure (fusi) sur la grille d'un second type uniquement

a second stress liner is located on the upper surface of the first stress liner as well as atop the nfet that contains the fusi gate electrode
une deuxième bande de contrainte est située sur la surface supérieure de la première bande de contrainte et sur le dessus du nfet contenant l'électrode de grille entièrement siliciée

36. the fusi alofa association directed teaching programmes for children with disabilities, in addition to disability awareness programmes.
m. jogia souligne que l'association fusi alofa dirige des programmes d'enseignement à l'intention des enfants handicapés, ainsi que des programmes de sensibilisation au handicap.

a simple and cost effective method of forming a fully suicided (fusi) gate of a mos transistor is disclosed
la présente invention concerne un procédé simple et économique de formation d'une grille entièrement recouverte de siliciure d'un transistor mos

an improved method of forming a fully suicided (fusi) gate in both nmos and pmos transistors of the same mos device is disclosed
l'invention concerne un procédé amélioré de formation d'une grille entièrement siliciurée (fusi) dans des transistors à la fois nmos et pmos du même dispositif mos

hybrid fully-silicided (fusi)/partially-silicided (pasi) structures
structures entiÈrement recouvertes de siliciure (fusi)/partiellement recouvertes de siliciure (pasi) hybrides

a metal layer is formed over the bottom silicon portion of the interim gate electrode stack and over source and drain regions of the substrate, all of which are suicided at the same time to form a folly suicided (fusi) gate electrode and suicided source and drain regions.
une couche métallique est formée sur la partie de silicium inférieure de la pile d'électrode de grille provisoire et sur les zones de source et de drain du substrat, toutes étant siliciurées au même moment, afin de former une électrode de grille entièrement siliciurée (fusi) et des zones de source et de drain siliciurées.