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1 tl mehl
1 c à c rase de farine

abstimmungssystem für laserdiode mit externem resonator enthaltend: (a) ein basisglied (20); (b) beugungsgittermittel (4), welche auf dem basisglied (20) angeordnet sind; (c) laserdiodenmittel (1), welche auf dem basisglied (20) angeordnet sind und deren ausgangsstrahl so positioniert ist, daß er durch eine kollimatorlinse (3) hindurchtritt und die beugungsgittermittel (4) unter einem einfallswinkel trifft; (d) spiegelmittel (7) zum reflektieren eines von den beugungsgittermitteln (4) gebeugten strahles zurück auf die beugungsgittermittel (4) und von dort zurück in die laserdiodenmittel; (e) befestigungsmittel (8), auf welchen die spiegelmittel (7) angeordnet sind; dadurch gekennzeichnet, daß die befestigungsmittel (8) eine gleichzeitig erfolgende linear- und rotationsbewegung der spiegelmittel (7) um eine rotationsachse vorsehen, wobei die rotationsachse so angeordnet ist, daß sie der schnittlinie einer ersten und einer zweiten halbierungsebene (72, 73) entspricht, und wobei die erste halbierungsebene (72), welche von der schnittlinie (70sc) der spiegelebene der spiegelmittel (7) in einer ersten position (70s) herausragt, einer ersten ausgewählten wellenlänge entspricht, und die spiegelebene der spiegelmittel (7) in einer zweiten position (70c) einer zweiten ausgewählten wellenlänge entspricht, wobei die halbierungsebene den winkel zwischen den normalen zu den spiegelebenen in der ersten und zweiten position halbiert, wobei die normalen auf der schnittlinie (70sc) errichtet sind, und wobei die zweite halbierungsebene (73), welche aus einer weiteren schnittlinie (701c) der spiegelebene der spiegelmittel (7) in der zweiten position (70c) und der spiegelebene der spiegelmittel (7) in einer dritten position (701) herausragt, einer dritten ausgewählten wellenlänge entspricht, wobei die zweite halbierungsebene den winkel zwischen den normalen zu den spiegelebenen in den zweiten und dritten positionen teilt, wobei die normalen auf der weiteren schnittlinie (701c) errichtet sind; und wobei jede der ersten, zweiten und dritten positionen der spiegelmittel so angeordnet sind, daß sie die gleiche gesamtzahl von halben wellenlängen innerhalb des abstimmungsresonators vorsehen; und die optische länge der abstimmungskavität des abstimmungssystems für laserdiode mit externem resonator nach der folgenden formel berechnet wird: opl = phl + c wobei: opl = die optische länge des abstimmunsresonators phl = die physikalische länge des abstimmungsresonators, welche der entfernung zwischen der rückspiegelschräge der laserdiode und der spiegeloberfläche der spiegelmittel (7) entspricht, und c eine entfernungskorrektur ist, welche nach der folgenden formel berechnet wird: c = [td (nd i - 1)] + [tw(nw i - 1)] + [tl(nl i -1)], wobei: td = die länge der halbleiterdiode nd i = der brechungsindex des halbleiterdiodenmateriales tw = die dicke des fensters der halbleiterdiode nw i = der brechungsindex des fenstermateriales tl = die dicke der kollimatorlinse (3) nl i = der brechungsindex des linsenmaterials ist.
système de diode laser accordable à cavité externe comprenant : (a) un élément de base (20); (b) un moyen formant réseau de diffraction (4) monté sur ledit élément de base (20); (c) un moyen formant diode laser (1) monté sur ledit élément de base (20) et ayant un faisceau de sortie positionné pour traverser une lentille de collimation (3) et pour tomber sur ledit moyen formant réseau de diffraction (4) suivant un angle rasant; (d) un moyen formant miroir (7) destiné à renvoyer un faisceau diffracté par ledit moyen formant réseau de diffraction (4) sur ce dernier et, de là, dans ledit moyen formant diode laser; (e) un moyen de montage (8) sur lequel ledit moyen formant miroir (7) est monté; caractérisé en ce que ledit moyen de montage (8) permet un mouvement linéaire et rotatif simultané dudit moyen formant miroir (7) autour d'un axe de rotation, axe de rotation qui est disposé de manière à correspondre à la ligne d'intersection de premier et second plans bissecteurs (72, 73), ledit premier plan bissecteur (72) étant projeté à partir de la ligne d'intersection (70sc) du plan de miroir dudit moyen formant miroir (7) au niveau d'une première position (70s) correspondant à une première longueur d'onde sélectionnée, et du plan de miroir dudit moyen formant miroir (7) au niveau d'une seconde position (70c) correspondant à une seconde longueur d'onde sélectionnée, ledit plan bissecteur coupant en deux l'angle défini entre les normales auxdits plans de miroir au niveau desdites première et seconde positions, normales qui sont élevées sur ladite ligne d'intersection (70sc), tandis que ledit second plan bissecteur (73) est projeté à partir d'une autre ligne d'intersection (701c) du plan de miroir dudit moyen formant miroir (7) au niveau de ladite seconde position (70c), et du plan de miroir dudit moyen formant miroir (7) au niveau d'une troisième position (701) correspondant à une troisième longueur d'onde sélectionnée, ledit second plan bissecteur coupant en deux l'angle défini entre les normales auxdits plans de miroir au niveau desdites seconde et troisième positions, normales qui sont élevées sur ladite autre ligne d'intersection (701c); en ce que chacune desdites première, seconde et troisième positions dudit moyen formant miroir est disposée de manière à fournir le même nombre entier de demi-longueurs d'onde à l'intérieur de la cavité résonnante; et en ce que la longueur optique de la cavité résonnante dudit système de diode laser accordable à cavité extérieure est calculée conformément à la formule : opl = phl + c dans laquelle : opl = la longueur optique de la cavité résonnante phl = la longueur physique de la cavité résonnante correspondant à la distance entre la facette de miroir arrière de la diode laser et la surface de miroir dudit moyen formant miroir (7) et c représentant une correction de distance calculée conformément à la formule : c= [td (nd i - 1)] + [tw(nw i - 1)] + [tl(nl i - 1)] dans laquelle : td = la longueur de la diode semi-conductrice nd i = l'indice de réfraction du matériau de la diode semi-conductrice tw = l'épaisseur de la fenêtre de la diode semi-conductrice nw i = l'indice de réfraction du matériau de la fenêtre tl = l'épaisseur de la lentille de collimation (3) nl i = l'indice de réfraction du matériau de la lentille.