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system nach irgendeinem vorangehenden anspruch, wobei das filter (40) mit porösem bett ein filter mit kohlenstoffbett aufweist.

Французский

système suivant l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le filtre à lit poreux (40) comprend un filtre à lit de carbone.

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verfahren nach irgendeinem der ansprüche 12 bis 18, bei dem das filter (40) mit porösem bett ein filter mit kohlenstoffbett aufweist.

Французский

procédé suivant l'une quelconque des revendications 12 à 18, dans lequel le filtre à lit poreux (40) comprend un filtre à lit en carbone.

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verfahren nach irgendeinem der ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die reaktion des ersten schritts in fester phase in einem mit der mischung von pulvern gespeisten und von chlor durchströmten fluidisierten kohlenstoffbett stattfindet.

Французский

procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6 caractérisé en ce que la réaction de la première étape a lieu en phase solide, dans un lit de carbone fluidisé alimenté avec ledit mélange de poudres et traversé par le chlore.

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ein verfahren zum entfernen von kupferionen aus abwasser eines verfahrens der chemisch-mechanischen polierung (cmp) zur planarisierung von integrierten schaltkreis-mikrochips, das folgendes beinhaltet: (a) leiten einer abwasserzufuhr, die poliernebenproduktschlamm, welcher suspendierte feststoffe der cmp aufweist, beinhaltet, über ein kohlenstoffbett mit einer kohlenstoffpartikeigröße von 8 x 40 mesh, wobei die zuführung kupferionen in lösung und feststoffe mit einer größe von etwa 0,01-1,0 µm in einer menge von etwa 50 bis 2 000 mg/l enthält; und (b) leiten des produktlaufs von dem kohlenstoffbett durch eine lonenaustauscheinheit, um die kupferionen aus der lösung zu entfernen, dadurch gekennzeichnet, dass das verfahren keine vorherige entfernung der suspendierten feststoffe durch mikrofiltration oder ultrafiltration umfasst, wobei die feststoffe zum abfluss durchgeleitet werden.

Французский

un procédé destiné à retirer des ions cuivre d'eau usée provenant d'un procédé de planarisation par polissage mécano-chimique (cmp) de micropuces de circuit intégré, comportant : (a) de faire passer une alimentation en eau usée comportant une bouillie de polissage de sous-produit ayant des solides en suspension provenant de la cmp, ladite alimentation contenant des ions cuivre en solution et des solides dimensionnés dans la gamme allant d'environ 0,01 à 1,0 µm dans une quantité dans la gamme allant d'environ 50 à 2 000 mg/l, sur un lit de charbon ayant une taille de particule de charbon dans la gamme 8 x 40 mesh ; et (b) de faire passer le flux de produit provenant dudit lit de charbon à travers une unité d'échange d'ions destinée à retirer lesdits ions cuivre de la solution, caractérisé en ce que le procédé est sans retrait par microfiltration ou ultrafiltration antérieure des solides en suspension, lesquels solides passent à travers pour déchargement.

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