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kreuzgekoppelte empfindung
sensation transversale associée

asymmetrische plazierte kreuzgekoppelte szintillationskristalle
cristaux de scintillation interconnectes et places de maniere asymetrique

kreuzgekoppelte mischerstufe für zero-zf-funkempfänger.
etage mélangeur couplé en croix pour radio à fréquence intermédiaire zéro.

kreuzgekoppelte, gefaltete kaskodenschaltung mit hohem wirkungsgrad
circuit cascode replié couplé en croix à haut rendement

system nach anspruch 7, wobei die kreuzkopplung kreuzgekoppelte variable widerstände (410) umfasst.
système selon la revendication 7, dans lequel l'accouplement croisé comprend des résistances variables (410) à accouplement croisé.

system nach anspruch 6, wobei das bandpassfilter (230, 235) zwei kreuzgekoppelte tiefpassfilter (400) aufweist.
système selon la revendication 6, dans lequel le filtre passe-bande (230, 235) comprend deux filtres passe-bas (400) à accouplement croisé.

beschreibbarer speicher nach anspruch 8, bei dem der prüfzahlspeicher (82) kreuzgekoppelte transistor-schmelzsicherungs-anordnungen aufweist.
mémoire inscriptible selon la revendication 9, dans laquelle la mémoire de nombre de contrôle (82) comporte des ensembles transistor-fusibles connectés en croix.

verfahren gemäß anspruch 25 oder 26, das den folgenden weiteren schritt beinhaltet: auferlegen unterschiedlicher einschränkungen auf die relative drehung um die erste und zweite querachse, um eine kreuzgekoppelte reaktion zu induzieren.
procédé selon les revendications 25 ou 26, comportant l'étape supplémentaire de : appliquer différentes contraintes à la rotation relative autour des premier et deuxième axes transversaux afin de provoquer une réponse de couplage transversal.

2. speicher nach anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß er in cmos-technologie hergestellt ist, daß die flip-flops (ffij) jeweils aus zwei kreuzgekoppelten invertern bestehen, und daß die schalter (tij, t′ij) und die trennelemente (xij, x′ij) jeweils aus einem mos-transistor bestehen.
2. mémoire selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle est réalisée en technologie cmos, en ce que lesdites bascules (ffij) sont formées, chacune, de deux inverseurs bouclés et en ce que lesdits interrupteurs (tij, t′ij) et lesdits moyens d'isolement (xij, x′ij) sont constitués, chacun, par un transistor mos.