Вы искали: lückenbereich (Немецкий - Французский)

magnetplattenantriebsvorrichtung nach anspruch 1, wobei der maximale lückenbereich in einem bereich untergebracht ist, welcher mit dem bewegungsbereichs des magnetkopfs (8) übereinstimmt.
dispositif d'entraínement de disque magnétique selon la revendication 1, dans lequel ladite zone d'espacement maximum se situe dans une zone coïncidant avec une zone de déplacement de ladite tête magnétique (8).

1. verfahren zur herstellung eines festwertspeichers mit den aufeinanderfolgenden schritten der ausbildung einer vielzahl von transistoren in einem gemeinsamen substrat, wobei jeder eine erste und eine zweite zone eines leitfähigkeitstyps aufweist, die durch eine zwischenzone eines entgegengesetzten leitfähigkeitstyps im abstand voneinander gehalten sind, wobei jede erste und zweite zone einen stärker dotierten hauptbereich sowie einen weniger stark dotierten seitlichen lückenbereich aufweist, der zwischen dem hauptbereich und der zwischenzone liegt, und wobei eine gateelektrode über dem oberflächenbereich der zwischenzone und nicht über dem lückenbereich des ersten und zweiten bereichs liegt, der maskierung von ausgewählten transistoren nach einem gewünschten programmierungskode, sowie die vielzahl von transistoren wird einer ionenimplantation ausgesetzt, die kennzeichnend für den entgegengesetzten leitfähigkeitstyp ist und ausreicht, um die kappenbereiche des ersten und des zweiten bereichs der unmaskierten tran­ sistoren in den entgegengesetzten leitfähigkeitstyp umzu­ wandeln, wodurch bewirkt wird, daß die unmaskierten transi­ storen außer funktion gesetzt werden.
1. un procédé de fabrication de rom comprenant les étapes séquentielles de : formation dans un substrat commun d'un ensemble de transistors, chacun comprenant une première et une seconde régions d'un certain type de conductivité espacées par une région intermédiaire d'un type de conductivité opposée, chacune des première et seconde régions incluant une partie principale plus lourdement dopée et une partie ayant des lacunes latérales moins lourdement dopées, la dite partie de lacune s'étendant entre la partie principale et la région intermédiaire, et une électrode de porte s'étendant sur la partie de la région intermédiaire et ne s'étendant pas sur une partie de lacune de la première et de la seconde régions, masquage des transistors choisis selon un code de personnalisation désiré, et exposition suffisante de l'ensemble des transistors à une implantation d'ions du type caractéristique de la dite conductivité opposée pour convertir des dites parties supérieures de la première et de la seconde régions des transistors non-masqués dans le dit type de conductivité opposée, ce qui fait que les dits transistors non-masqués sont effectivement mis hors service.