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stromsperrschichtstruktur zur verbesserung der halbleiterlasereigenschaften
structure bloquante permettant d'ameliorer les performances des lasers a semi-conducteurs
Последнее обновление: 2014-12-03
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verfahren nach anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass eine stromsperrschichtstruktur (31, 32) an beiden seiten der streifenförmigen mesa (9) mit einem weiteren selektiven züchtverfahren erzeugt wird, und wenigstens eine kontaktschicht (34) mit dem zweiten nichtselektiven züchtverfahren oder mit einem weiteren nichtselektiven züchtverfahren erzeugt wird.
procédé suivant la revendication 5 ou 6, caractérisé en ce qu'une structure de couche de blocage du courant (31, 32) est formée de chaque côté de la mésa en forme de bande (9) au cours d'un processus de croissance sélective supplémentaire, et au moins une couche de contact (34) est formée au cours d'un deuxième processus de croissance non sélective ou au cours d'un processus de croissance non sélective supplémentaire.
Последнее обновление: 2014-12-03
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