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verbindungshalbleitersubstrat
substrat en semi-conducteur composé

verbindungshalbleitersubstrat und verfahren zu seiner herstellung
substrat de semi-conducteur du type composé et procédé pour sa préparation

auf einer metallschicht gewachsenes verbindungshalbleitersubstrat, herstellungsverfahren dafür und verbindungshalbleitervorrichtung damit
composé de substrat à semi-conducteur développé sur une couche métallique, son procédé de fabrication, et dispositif à semi-conducteur du composé l'utilisant

verbindungshalbleitersubstrat, epitaktisches substrat, verfahren zur herstellung verbindungshalbleitersubstrat und epitaktisches substrat
substrat semiconducteur composé, substrat épitaxial, procédé de fabrication d'un substrat semiconducteur composé et substrat épitaxial

verfahren zur oberflächenbehandlung eines verbindungshalbleitersubstrats, herstellungsverfahren für den verbindungshalbleiter, verbindungshalbleitersubstrat und halbleiterwafer
procédé de traitement de surface de substrat semi-conducteur composé, procédé de fabrication du semi-conducteur composé, substrat semi-conducteur composé et tranche semi-conductrice

struktur nach anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das verbindungshalbleitersubstrat aus halbisolierendem gaas besteht.
structure selon la revendication 1, caractérisée en ce que le substrat semiconducteur composite est formé de gaas semi-isolant.

prüfverfahren eines verbindungshalbleitersubstrats, verbindungshalbleitersubstrat, verfahren zur behandlung der oberfläche des verbindungshalbleitersubstrats und verfahren zur herstellung eines verbindungshalbleiterkristalls
procédé d'inspection d'un substrat semi-conducteur de composant, substrat semi-conducteur de composant, procédé de traitement de surface d'un substrat semi-conducteur de composant, et procédé de production d'un cristal semi-conducteur de composant

lichtemittierende halbleitervorrichtung nach anspruch 1, bei welcher das verbindungshalbleitersubstrat (1) ein gaas-substrat ist.
dispositif luminescent à semiconducteur selon la revendication 1, dans lequel ledit substrat à semiconducteur du type composé (1) est un substrat de gaas.

ein feldeffekttransistor mit: einem halbisolierenden ersten verbindungshalbleitersubstrat (1) mit einer oberfläche; einer aktiven schicht (2) des verbindungshalbleiters, die an der oberfläche des substrates angeordnet ist und eine erste dotierungskonzentration hat; einer gateelektrode (5a), die auf der aktiven schicht angeordnet ist; einer epitaxialen ersten verbindungshalbleiter-source-region (4), die auf einem teil der aktiven schicht (2) beabstandet von der gateelektrode (5a) angeordnet ist, wobei die sourceregion (4) eine zweite dotierungskonzentration hat, die höher als die erste dotierungskonzentration ist; einer sourceelektrode (8), die auf der sourceregion (4) ausgebildet ist; einer drainregion (6a), die in dem substrat (1) an einer gegenüberliegenden seite der gateelektrode (5a) von der sourceregion (4) angeordnet ist; und einer drainelektrode (7a), die in der ersten drainregion (6a) ausgebildet ist, wobei der feldeffekttransistor dadurch gekennzeichnet ist, daß: die drainregion eine dotierungskonzentration hat, die zwischen den dotierungskonzentrationen der sourceregion (4) und der aktiven schicht (2) liegt; ein elektrisch isolierender seitenwandfilm (9a) auf der aktiven schicht (2) zwischen und in kontakt mit sourceregion (4a) und gateelektrode (5a) angeordnet ist; und eine erste dotierungsregion (10; 10a) in dem substrat (1) zwischen und in kontakt mit der aktiven schicht (2) und der drainregion (6a) angeordnet ist und eine dotierungskonzentration zwischen den dotierungskonzentrationen der aktiven schicht (2) und der drainregion (6a) hat.
transistor à effet de champ comprenant : un substrat semi-isolant d'un premier composé semi-conducteur (1) ayant une surface; une couche active d'un composé semi-conducteur (2) disposée à la surface du substrat et ayant une première concentration de dopant; une électrode de grille (5a) disposée sur la couche active; une région de source épitaxiale d'un premier composé semi-conducteur (4) disposée sur une partie de la couche active (2) espacée de l'électrode de grille (5a), où la région de source (4) a une secone concentration de dopant plus élevée que la première concentration de dopant; une électrode de source (8) disposée sur la région de source (4); une région de drain (6a) disposée dans le substrat (1) sur un côté opposé à l'électrode de grille (5a) de la région de source (4); et une électrode de drain (7a) disposée sur ladite première région de drain (6a); lequel transistor à effet de champ est caractérisé par : la région de drain ayant une concentration de dopant intermédiaire des concentrations de dopant de la région de source (4) et de la couche active (2); un film de paroi latérale électriquement isolant (9a) disposé sur la couche active (2) entre la région de source (4) et l'électrode de grille (5a) et contactant celles-ci; et une première région dopée (10; 10a) disposée dans le substrat (1) entre la couche active (2) et la région de drain (6a) et en contact avec celles-ci et ayant une concentration de dopant intermédiaire des concentrations de dopant de la couche active (2) et de la région de drain (6a).