Обучается переводу с помощью примеров, переведенных людьми.
Добавлены профессиональными переводчиками и компаниями и на основе веб-страниц и открытых баз переводов.
a
a
Последнее обновление: 2018-02-13
Частота использования: 25
Качество:
a ...
...
Последнее обновление: 2018-02-13
Частота использования: 12
Качество:
a)
o -
Последнее обновление: 2017-04-06
Частота использования: 1
Качество:
- a -
- b -
Последнее обновление: 2018-02-13
Частота использования: 1
Качество:
(a) .
(a) . face interne.
Последнее обновление: 2018-02-13
Частота использования: 1
Качество:
"a", ,,.
allah is the greatest.
Последнее обновление: 2018-02-13
Частота использования: 1
Качество:
Предупреждение: Содержит скрытое HTML-форматирование
j'a
i bought
Последнее обновление: 2021-01-18
Частота использования: 1
Качество:
Источник:
!!a = a.
!!a = a.
Последнее обновление: 2018-02-13
Частота использования: 1
Качество:
Источник:
• a) • (a)
• [traduction] • a) • a)
Последнее обновление: 2018-02-13
Частота использования: 1
Качество:
Источник:
• (a) • (a)
• e) • (e)
Последнее обновление: 2018-02-13
Частота использования: 1
Качество:
Источник:
a a+ a++
a a+ a++
Последнее обновление: 2018-02-13
Частота использования: 1
Качество:
Источник:
amplificateur optique unidirectionnel selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la section de transit de faisceau d'électrons est constituée à partir d'un semiconducteur du groupe ii-vi tel que znse, zute, zno, zns, cdse, cdte, cds et un cristal mixte afférent ou à partir d'un matériau isolant tel que caf 2 , srf 2 , baf 2 dans le cas de son utilisation pour une région de lumière visible à partir de la région des infrarouges proches et à partir d'un semiconducteur du groupe iii-v tel que inp, insb, inas, gap, gasb, gaas et un cristal mixte afférent dans le cas de son utilisation pour une région des infrarouges.
an unidirectional optical amplifier as claimed in any one of claims 1 to 5, wherein the electron beam transit section is constituted from ii-vi group semiconductor such as znse, znte, zno, zns, cdse, cdte, cds and mixed crystal thereof or an insulating material such as caf 2 , srf 2 , baf 2 in case of using it for visible-light region from near-infrared region, and from iii-v group semiconductor such as inp, insb, inas, gap, gasb, gaas and mixed crystal thereof in case of using it for infrared region.
Последнее обновление: 2014-12-04
Частота использования: 2
Качество:
Источник: