Вы искали: du sige (Французский - Английский)

implantation ionique a faible energie dans du sige
low energy ion implantation into sige

les structures de résonateurs annulaires renferment du ge ou du sige
the at least one ring resonator structure includes ge or sige

consistant à former une couche de base intrinsèque contenant du sige
comprising forming an intrinsic base layer containing sige

on procède à une croissance épitaxiale du sige dans la cavité avec un niveau de dopage croissant
sige is epitaxially grown in the cavity with an increasing doping level

dispositif semi-conducteur comprenant un transistor bipolaire latéral contenant du sige et méthode de fabrication correspondante
semiconductor device comprising a lateral bipolar transistor including sige and method of manufacturing the same

la couche contenant du sige présente une épaisseur inférieure ou égale à 100 nm et une teneur en germanium critique prédéterminée.
the sige-containing layer is not more than about 100 ran thick and has a predetermined critical germanium content.

le deuxième matériau 105 peut être semi-conducteur tel que du si, ou par exemple du ge, ou du sige.
the second material 105 may be a semiconductor such as si, or for example ge or sige.

un premier film comprenant du sige formé sur un substrat de support, dont la partie de la couche superficielle, au moins, est en si
a first film comprising sige is formed on a support substrate, at least the surface layer portion of which is formed of si

des régions de sige épitaxiales sont créées dans le substrat, à proximité de la première structure de grille, et le premier masque dur protège la première structure de grille du sige
epitaxial sige regions are created in the substrate proximate the first gate structure, the first hardmask protecting the first gate structure from the sige

la présente invention concerne un premier film comprenant du sige formé sur un substrat de support, dont la partie de la couche superficielle, au moins, est en si.
a first film comprising sige is formed on a support substrate, at least the surface layer portion of which is formed of si.

on connaít des procédés isotropes de gravure par plasma du sige qui présentent une sélectivité supérieure à 30 entre la gravure du sige et la gravure du silicium et de l'oxyde de silicium.
isotropic sige plasma etch methods are known, which exhibit a selectivity greater than 30 between the sige etching and the silicon and silicon oxide etching.

un septième objectif de l'invention est de réaliser une telle structure semiconducteur-sur-isolant comprenant du sige ou du ge pour la partie semiconductrice.
lastly, the method according to the invention makes it possible to utilize sige or ge for fabricating a semiconductor on insulator structure. brief description of the drawing figures other aspects, purposes and advantages of the invention will become clear after reading the following detailed description with reference to the attached drawings, in which: fig.

ceci permet la formation de contacts de faible résistance à la fois pour les pfet à mobilité améliorée avec du sige incorporé et les nfet à mobilité améliorée avec du si: c incorporé sur le même substrat semi-conducteur
this enables the formation of low resistance contacts for both mobility enhanced pfets with embedded sige and mobility enhanced nfets with embedded si: c on the same semiconductor substrate

la méthode consiste à transférer la couche de sige non contraint et la couche de si contraint sur une plaque réceptrice, puis à enlever sélectivement le si contraint vis-à-vis du sige non contraint.
the method consists in transferring the unstrained sige layer and the strained si layer onto a receiver wafer, and then selectively removing the strained si as opposed to the unstrained sige layer.

Élément photovoltaique selon la revendication 4, dans lequel 1e diamètre moyen des grains et/ou le pourcentage en volume du semiconducteur microcristallin qui forme la couche de semiconducteur de type i sont modifiés avec une variation de la proportion de germanium dans la composition de la couche de semiconducteur de type i comprenant du sige microcristallin.
the photovoltaic element according to claim 4, wherein the average grain diameter and/or the volume percentage of the microcrystal semiconductor which forms the i-type semiconductor layer are varied with change in a compositional ratio of germanium in the i-type semiconductor layer comprising microcrystal sige.

dans des modes de réalisation préférés, on utilise un trisilane pour déposer des films contenant du sige utiles dans de nombreuses applications relevant de l'industrie des semi-conducteurs, et notamment dans la fabrication d'électrodes de grille de transistors.
in preferred embodiments, trisilane is employed to deposit sige-containing films that are useful in the semiconductor industry in various applications such as transistor gate electrodes.