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afin de réduire la concentration du champ électrique au niveau du bord du transistor, des anneaux de garde ou une zone implantée peuvent équiper le poutour des zones sources implantée peuvent équiper le pourtour des zones sources et les zones de grilles, ou bien des zones de drain peuvent être disposées dans les structures mesa correspondantes.
to reduce electric field concentration at the edge of the transistor guard rings or an implanted region may be provided surrounding the source and gate regions, or drain regions may be provided in respective mesa structures.
Последнее обновление: 2014-12-03
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la bande de caspari de la racine principale recouvrant le primordium disparait très tôt au cours du développement de celui-çi et le poutour de ce qui en reste est déplacé vers l'extérieur au cours de la croissance subséquente de la racine latérale.
the casparian band of the main root overlying the primordium disappeared early in its development and the margins of the remaining band were displaced outward during subsequent growth of the lateral.
Последнее обновление: 2015-05-14
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