You searched for: siliciumnitride (Holländska - Engelska)

siliciumnitride
silicon nitride

gesinterd siliciumnitride
sintered silicon nitride

siliciumnitride-materiaal
silicon nitride material

warm samengeperst siliciumnitride
hot pressed silicon nitride

door spuitgieten gevormd siliciumnitride
injection molded silicon nitride

kogels van siliciumnitride (si3n4)
silicon nitride (si3n4) balls

de kristalconstanten van siliciumnitride en silicium verschillen.
the lattice constants of silicon nitride and silicon are different.

polysilazanen (voor het vervaardigen van siliciumnitride); of
polysilazanes (for producing silicon nitride);

als siliciumnitride via lpcvd gemaakt wordt kan het tot 8% waterstof bevatten.
silicon nitride deposited by lpcvd contains up to 8% hydrogen.

als diëlektricum tussen lagen kristallijn silicium in condensatoren in analoge chips voldoet siliciumnitride goed.
it is also used as a dielectric between polysilicon layers in capacitors in analog chips.

monolithisch siliciumnitride wordt dankzij de hardheid, thermische stabiliteit en weerstand tegen slijtage gebruikt voor snijdend gereedschap.
bulk, monolithic silicon nitride is used as a material for cutting tools, due to its hardness, thermal stability, and resistance to wear.

naast siliciumnitride worden ook ternaire componenten van silicium, stikstof en waterstof (sinxhy) gebruikt als (elektrisch) isolerende lagen.
not only silicon nitride, but also various ternary compounds of silicon, nitrogen and hydrogen (sinxhy) are used insulating layers.

siliciumnitride films die geschikt zijn voor gebruik in de elektronica-industrie worden gevormd via chemical vapor deposition (cvd), of een van de varianten, zoals plasma-enhanced chemical vapor deposition (pecvd)::3 sih4(g) + 4 nh3(g) → si3n4(s) + 12 h2(g):3 sicl4(g) + 4 nh3(g) → si3n4(s) + 12 hcl(g):3 sicl2h2(g) + 4 nh3(g) → si3n4(s) + 6 hcl(g) + 6 h2(g)om een film van siliciumnitride op een halfgeleider, meestal silicium, te realiseren worden twee methoden gebruikt:# lage druk damp depositie (lpcvd, uit het engels: low pressure chemical vapor deposition) waarbij met een relatief hoge temperatuur gewerkt wordt.
electronic-grade silicon nitride films are formed using chemical vapor deposition (cvd), or one of its variants, such as plasma-enhanced chemical vapor deposition (pecvd)::3 (g) + 4 (g) → (s) + 12 (g):3 (g) + 4 (g) → (s) + 12 hcl(g):3 (g) + 4 (g) → (s) + 6 hcl(g) + 6 (g)for deposition of silicon nitride layers on semiconductor (usually silicon) substrates, two methods are used:#low pressure chemical vapor deposition (lpcvd) technology, which works at rather high temperature and is done either in a vertical or in a horizontal tube furnace, or#plasma-enhanced chemical vapor deposition (pecvd) technology, which works at rather low temperature and vacuum conditions.