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halbleiterspeicherbauteil
dispositif semi-conducteur à mémoire

integriertes halbleiterspeicherbauteil.
dispositif semi-conducteur à mémoire integré.

halbleiterspeicherbauteil mit kondensator
dispositif semi-conducteur à mémoire ayant un condensateur

halbleiterspeicherbauteil mit neuartigem layout-muster
dispositif de mémoire semiconducteur ayant un modèle de lay-out nouveau

halbleiterspeicherbauteil mit verbessertem "layout" der kontakte
dispositif semi-conducteur à mémoire comprenant une disposition de contacts améliorée

halbleiterspeicherbauteil mit bitleitung, welche aus einer halbleiterschicht besteht
dispositif semi-conducteur à mémoire ayant une ligne de bit constituée d'une couche semi-conductrice

halbleiterspeicherbauteil mit gestapeltem kondensator und verfahren zu seiner herstellung.
dispositif de mémoire semi-conducteur avec une capacité empilée et sa méthode de fabrication.

halbleiterspeicherbauteil vom typ 1-transistor-1-kondensator-speicherzelle.
dispositif de mémoire semi-conductrice du type à cellules à un transistor et une capacité.

halbleiterspeicherbauteil nach anspruch 2, bei dem die einen wortleitungstreibereinrichtungen mit den geradzahligen wortleitungen verbunden sind.
dispositif de mémoire à semiconducteur selon la revendication 2, dans lequel lesdits moyens de commande de ligne de mot sont connectés aux lignes de mot paires.

verfahren zur herstellung einer vergrabenen verbindung durch kontrollierte rekristallisierung in einem halbleiterspeicherbauteil und dadurch hergestelltes halbleiterspeicherbauteil
procédé de formation d'une connexion enterrée par recristallisation contrôlée dans un dispositif semiconducteur à mémoire, et dispositif semiconducteur à mémoire ainsi formé

das halbleiterspeicherbauteil nach anspruch 1, wobei die speicheraustauscheinrichtung umfaßt: eine redundanz-verwenden-entscheidungsschaltung (20), die im voraus die adresse der fehlerhatten speicherzelle speichert und ein redundanz-verwenden-signal (18) ausgibt, wenn das adressensignal mit der gespeicherten adresse übereinstimmt; einen auf das adressensignal reagierenden vordecoder (5), der ein vordecodiersignal ausgibt, um eine wortleitung der primären speicherzelle entsprechend dem adressensignal auszuwählen; und eine decodiersignal-schaltereinheit (19), die das von dem vordecoder (5) zugeführte vordecodiersignal mit der wortleitungstreibersignal-erzeugungsschaltung (21) verbindet, und andererseits, wenn das redundanz-verwenden-signal von der redundanz-verwenden-entscheidungsschaltung ausgesendet wird, das redundanz-verwenden-signal anstelle des vordecodiersignals mit der wortleitungstreibersignal-erzeugungsschaltung verbindet.
dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la revendication 1, dans lequel ledit moyen de remplacement de mémoire comporte : un circuit (20) de décision d'utilisation de la redondance qui stocke à l'avance l'adresse de ladite cellule de mémoire défectueuse et fournit en sortie un signal (18) d'utilisation de la redondance si le signal d'adresse est en accord avec l'adresse stockée ; un pré-décodeur (5) sensible au signal d'adresse et envoyant un signal de pré-décodage pour sélectionner une ligne de mots de la cellule de mémoire primaire correspondant au signal d'adresse ; et un circuit (19) de commutation de signal de décodage qui connecte le signal de pré-décodage, délivré par le pré-décodeur (5), au circuit (21) générateur de signal d'attaque de ligne de mots, alors que par ailleurs il connecte, lorsque ledit signal d'utilisation de la redondance est envoyé par le circuit de décision d'utilisation de la redondance, le signal d'utilisation de la redondance au lieu du signal de pré-décodage, au circuit générateur de signal d'attaque de ligne de mots.