Şunu aradınız:: konditionierungszyklus (Almanca - Fransızca)

verfahren nach einem der vorhergehenden ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die dauer der ein- und der auslagerungsphase jedes konditionierungszyklus gleich ist und vorzugsweise etwa 20 sekunden beträgt.
procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les phases d'insertion et de désinsertion de chaque cycle de formatage sont d'une durée identique, et de préférence de l'ordre de 20 secondes chaque.

verfahren nach einem der vorhergehenden ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß bei jedem konditionierungszyklus mit fließendem strom an einer 40 bis 80 nanometer dicken iridiumoxidschicht eine ladung von 20 bis 40 mc und vorzugsweise von etwa 30 mc ein- und ausgelagert wird.
procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que pour chaque cycle de formatage à courant imposé, on insère et désinsère une charge comprise entre 20 et 40 mc et de préférence de l'ordre de 30 mc, pour une couche d'oxyde d'iridium d'une épaisseur comprise entre 40 et 80 nanomètres.

verfahren nach anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß bei jedem konditionierungszyklus mit fließendem strom eine ladung ein- und ausgelagert wird, welche im wesentlichen dem einlagerungsvermögen der wolframoxidschicht entspricht, wie es durch voltamperemetrische wechselbehandlung gemessen wird.
procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que pour chaque cycle de formatage à courant imposé, on insère et désinsère une charge sensiblement identique à la capacité d'insertion de la couche d'oxyde de tungstène, telle que mesurée par cyclage voltampèrométrique.