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procédé suivant la revendication 16, dans lequel le composé d'oxysilicium consiste en orthosilicate de tétraéthyle.
verfahren gemäß anspruch 16, wobei es sich bei der oxysiliciumverbindung um tetraethylorthosilicat handelt.
composition selon la revendication 6, dans laquelle lesdites entités de silicone sont de l'orthosilicate de tétrapropyle.
zusammensetzung nach anspruch 6, worin die genannten silicium-entitäten tetrapropylorthosilicat darstellen.
procédé pour former une couche d'encapsulation d'orthosilicate de tétraéthyle à faible température et à taux de dépôt réduit
verfahren zur bildung einer teos-kappenschicht bei niedriger temperatur und verringerter ablagerungsrate
dispositif à semi-conducteur selon la revendication 1, dans lequel ledit organo-silicium est tétraéthyl orthosilicate.
halbleiter-vorrichtung nach anspruch 1, worin die organische silicium-verbindung tetraethylorthosilicat ist.
procédé selon la revendication 1 ou la revendication 2, dans lequel l'orthosilicate de tétraalkyle est de l'orthosilicate de tétraéthyle.
verfahren nach anspruch 1 oder anspruch 2, bei dem das tetraalkylorthosilikat tetraethylorthosilikat ist.
revêtement protecteur suivant la revendication 16, dans lequel le dépôt en phase vapeur par procédé chimique est un procédé recourant à de l'orthosilicate de tétraéthyle.
17. schutzüberzug nach anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß chemische aufdampfverfahren ein teos-verfahren ist.
comprimé selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce qu' il est dépourvu de silicates amorphes habituels de type orthosilicate.
tablette nach anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß sie frei ist von üblichen amorphen silikaten des wasserglas-typs.
composition selon la revendication 1, caractérisée en outre en ce que l'ester est la butyrolactone ou un mélange de butyrolactone et d'orthosilicate de tétraéthyle.
zusammensetzung nach anspruch 1, ferner dadurch gekennzeichnet, daß der ester butyrolacton oder eine mischung von butyrolacton und tetraethylorthosilicat ist.
procédé conforme à la revendication 14, dans lequel la source de silicium est de l'orthosilicate de tétraéthyle et la source de titane est de l'orthotitanate de tétraéthyle.
verfahren nach anspruch 14, wobei die siliciumquelle tetraethylorthosilikat und die titanquelle tetraethylorthotitanat ist. verfahren nach den ansprüchen 8, 11 und 14, wobei die hydrothermale behandlung in schritt a) bei einer temperatur im bereich von 200 bis 230°c durchgeführt wird.
orthosilicate de métal alcalino-terreux, écran luminescent muni d'un tel silicate et lampe à décharge dans la vapeur de mercure à basse pression munie d'un tel écran
leuchtendes erdalkalimetall-orthosilikat, leuchtschirm mit einem derartigen silikat und niederdruckquecksilberdampfentladungslampe mit einem derartigen schirm
procédé selon au moins l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que le lyosol est formé par une solution d'orthosilicate de sodium et par l'acide chlorhydrique.
verfahren gemäß mindestens einem der ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß das lyosol aus einer natrium-wasserglas-lösung und salzsäure gebildet wird.
5. procédé selon les revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu 'on choisit les particules céramiques parmi le groupe comprenant l'orthosilicate de zirconium, l'oxyde d'aluminium et le dioxyde de silicium et dans lequel le liant thermoplastique est essentiellement de la cire.
5. verfahren nach den ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die keramikpartikel aus der gruppe ausgewählt werden, die aus zirkoniumorthosilicat, aluminiumoxid und siliciumdioxid besteht, wobei das thermoplastische bindemittel hauptsächlich wachs ist.