Şunu aradınız:: as y (Fransızca - İngilizce)

as-y-zm (formule
as-y-zm (formula

la couche active passe de la composition gaas à une composition ga x in 1-x as y p 1-y .
the active layer changes from a gaas composition to a ga.sub.x in.sub.1-x as.sub.y p.sub.1-y composition.

le matériel octel se trouvant dans le secteur à accès réglementé de la chancellerie, l’as n’y a pas accès.
given the location of the octel hardware inside the sensitive area of the chancery, he cannot access the system.

des composés quaternaires de type in 1-x ga x as y p i-y sont susceptibles de convenir pour des valeurs de x et y déterminées.
quatenary compounds of the in.sub.1-x ga.sub.x as.sub.y p.sub.i-y type are likely to be suitable for determined values of x and y.

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lastly there is non-verbal commtrnication . we,end nc~n-verbal communication all the time (childrc:n are masters of the lorn~ i . 'l'he te~hnician who didn't pull the chocks on lhe i lercules tvas really telling the aircrew "regardless of what vott want to do, l am not r;oin~ to let vou kill vourselves ." 1 don't think he could have found a ntore rllrctive svav to communicate his ntes .,a7e . ln f, , this case sc~meone was listening.

les absorbeurs saturables 24 sont de préférence des composants semiconducteurs de type quaternaire tels qu'un composant ln x ga 1-x as y p 1-y .
the saturable absorbers 24 are preferably quaternary semiconductor components, such as inxga1-x asyp1-y components.

système selon l'une quelconque des revendications précédentes 1 à 6, comprenant : un premier verre formé d'une composition ternaire selon la formule ge x as y se z .
a system according to any one of preceding claims 1 to 6 comprising: a first lens formed of a ternary composition according to the formula ge x as y se z .

dispositif selon la revendication 4, dans lequel ledit semiconducteur composite est un matériau sélectionné parmi le groupe constitué par : ga x in 1-x as x p 1-x , ga x al 1-x as y p 1-y , ga x al 1-x as x sb 1-x , in x ga y al 1-x-y p, in x al 1-x p x as 1-x , in x al 1-x p x sb 1-x et ga x al 1-x p x sb 1-x , où 0 ≦ x ≦ 1 et 0 ≦ y ≦ 1.
a device according to claim 4, wherein said compound semiconductor is a material selected from the group consisting of ga x in 1-x as x p 1-x , ga x al 1-x as y p 1-y , ga x al 1-x as x sb 1-x , in x ga y al 1-x-y p, in x al 1-x p x as 1-x , in x al 1-x p x sb 1-x , and ga x al 1-x p x sb 1-x ; wherein 0 ≦ x ≦ 1 and 0 ≦ y ≦ 1.