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lgo: 44 %
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- product acs/lgo:
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lgo organisation des collectivités locales
lgo local government organization

en langue néerlandaise product acs/lgo:
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comment est pris en charge le staff lgo ?
what costs are covered for lgo staff?

elle a été consultante sportive pour lgo tv en 2009.
she has been the sport expert for lgo tv in 2009.

jaco a participé à lgo en 2008, 2009, 2010 et 2011.
jaco alex has run lgo in 2008, 2009, 2010 and 2011.

taux de participation des femmes aux postes de chef dans les ministères, les plle et les lgo
rates of women's participation in head posts in ministries, plle and lgo

enregistrement, lgo : le format d'enregistrement par défaut a été modifié.
saving, lgo: the default save format option is changed.

l'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur comprenant un transistor à effet de champ à canal enterré qui comprend, afin de réaliser ce transistor à effet de champ, les étapes de formation d'un arrangement de couches de semi-conducteur empilées sur un substrat comprenant une couche active (3), formant un logement, appelé logement de grille (a4), afin de constituer un canal entre la source et les électrodes déversoir, et de formation d'une électrode grille submicronique (g) qui est en contact avec la couche active (3) dans le logement de grille (a4), dans lequel : la largeur du logement de grille (wri) et la longueur de grille (lgo) sont fabriquées au moyen de valeurs respectives prédéterminées, de sorte que la région d'accès, définie entre la grille (g) et le bord du logement de grille (31), possède une largeur (2Δo) de région d'accès dérivée de ces valeurs prédéterminées (wri, lgo) et suffisamment petite pour permettre au transistor de fonctionner en fonction des caractéristiques du courant de saturation présentant des pentes continues.
a process of manufacturing a semiconductor device including a buried channel field effect transistor comprising, for realizing said field effect transistor, steps of forming a stacked arrangement of semiconductor layers on a substrate including an active layer (3), forming a recess in said active layer, referred to as gate recess (a4), for constituting a channel between source and drain electrodes, and forming a submicronic gate electrode (g) which is in contact with the active layer (3) in said gate recess (a4), wherein : the gate recess width (wri) and the gate length (lgo) are manufactured with predetermined respective values, in order that the access region, defined between the gate (g) and the gate recess edge (31), has an access region width (2Δo), derived from said predetermined values (wri, lgo), which is sufficiently small to permit the transistor of functioning according to saturation current characteristics having continuous slopes.