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mpas
mpas

la viscosité brookfield mesurée est 732 mpas.
the measured brookfield viscosity is 732 mpa.s.

viscosité maximale: 5 mpas à 40 °c
viscosity max.: 5 mpas at 40 °c

présente une viscosité inférieure à 3000 mpas une pompe
has a viscosity less than 3,000 mpas and a pump

180 à 12000 mpas pour une vitesse de cisaillement 1 s -1.
180 to 12000 mpas at a shear rate of 1 s -1.

la viscosité du liant à 25 ° c est comprise entre 5 et 100 mpas
the viscosity of the binder at 25 ° c is 5 -100 mpa · s.

150 à 8000 mpas pour une vitesse de cisaillement de 10 s -1 et (
150 to 8000 mpas at a shear rate of 10 s -1 and (

1) présente, à 23 ° c, une viscosité de 200 à 600 mpas
1) has a viscosity of 200 to 600 mpa.s at 23 ° c.

la viscosité de la solution est comprise entre 1,5 et 10 mpas à 20 ° c.
the viscosity of the solution lies between 1.5 and 10mpas at 20 ° c.

de 0 à 5 parties en poids de polymères conducteurs, et elle présente une viscosité d'au plus 150 mpas
0 to 5 % by weight of conductive polymers, and has a maximum viscosity of 150 mpa " s.

en réponse à un lancement d'appel effectué par le correspondant demandeur, une base de données mpas peut être appelée
in response to a call origination by the calling party, a paam database may be queried

en réponse à un lancement d'appel effectué par le correspondant demandeur, une base de données mpas peut être appelée.
in response to a call origination by the calling party, a paam database may be queried.

une deuxième chaîne mpas et une troisième chaîne mpas faisant partie de la ou des chaînes mpas, peuvent être renvoyées au correspondant appelé dans l'appel acheminé
a second paam string and a third paam string may be returned, from the one or more paam strings, to the called party in the routed call

et la viscosité de la composition (mesurée selon brookfield à 23 ° c) valant moins de 15000 mpas.
the viscosity of the composition (measured according to brookfield at 23 ° c) is less than 15000 mpas.

application, sur cette surface totale de la plaquette, d'un milieu de gravure d'une viscosité de 50 mpas à 2000 mpas;
application of an etching medium with a viscosity of 50 mpas to 2000 mpas over the total surface of the semiconductor wafer,