Şunu aradınız:: tranzistorjev (Slovence - İngilizce)

preizkušanje tranzistorjev;
testing of transistors;

značilnosti in lastnosti tranzistorjev;
transistor characteristics and properties.

konstrukcija in delovanje pnp in npn tranzistorjev;
construction and operation of pnp and npn transistors;

osnovno vrednotenje drugih vrst tranzistorjev in njihova uporaba;
basic appreciation of other transistor types and their uses;

modul je izdelan na podlagi tehnologije tankoplastnih tranzistorjev (tft).
the module is based on thin-film transistor (tft) technology.

deli diod, tranzistorjev in podobnih polprevodniških elementov, svetlobno občutljivih polprevodniških elementov in fotonapetostnih celic, led in montiranih piezoelektričnih kristalov
parts of diodes, transistors and similar semiconductor devices, photosensitive semiconductor devices and photovoltaic cells, light-emitting diodes and mounted piezo-electric crystals

tranzistorji z disipacijo (izgubljeno močjo), manj kot 1 w (razen fotoobčutljivih tranzistorjev)
transistors with a dissipation rate < 1 w (excl. photosensitive transistors)

hladilna telesa in hladilna rebra iz aluminija, za vzdrževanje delovne temperature tranzistorjev in integriranega vezja v televizijskih sprejemnikih [1]
heat sinks and cooling fins of aluminium, for maintaining the operating temperature of transistors and integrated circuits in television sets [1]

lito hladilno telo iz aluminija za vzdrževanje delovne temperature tranzistorjev in integriranih vezij, za uporabo v proizvodnji izdelkov iz tarifne številke 8527 [1]
aluminium die cast heat sink, for maintaining the operating temperature of transistors and integrated circuits, for use in the manufacture of products falling within heading 8527 [1]

drugi polprevodniški elementi (razen svetlobno občutljivih polprevodniških elementov, tiristorjev, diac in triac elementov, tranzistorjev, diod in led)
semiconductor devices (excluding photosensitive semiconductor devices, photovoltaic cells, thyristors, diacs and triacs, transistors, diodes, and light-emitting diodes)

deli diod, tranzistorjev in podobnih polprevodniških elementov; fotoobčutljivih polprevodniških elementov, diod za sevanje svetlobe in montiranih piezoelektričnih kristalov, ki niso navedeni ali zajeti na drugem mestu
parts of diodes, transistors and similar semiconductor devices; photosensitive semiconductor devices, light emitting diodes and mounted piezo-electric crystals, n.e.s.

polprevodniški elementi (razen svetlobno občutljivih polprevodniških elementov, fotonapetostnih celic, tiristorjev, diac in triac elementov, tranzistorjev, diod in led)
semiconductor devices (excluding photosensitive semiconductor devices, photovoltaic cells, thyristors, diacs and triacs, transistors, diodes, and light-emitting diodes)

enota, ki sestoji iz dveh spojnih tranzistorjev s poljskim pojavom (jfet) v ohišju z dvema vrsticama nožic (dual lead frame housing)
unit consisting of two junction field effect transistors contained in a dual lead frame housing

plošče za rentgenske aparate (rentgenski ploski senzorji/rentgenski senzorji), sestavljene iz steklene plošče z matriko iz tankoplastnih tranzistorjev, prekrite s filmom iz amorfnega silicija, prevlečene s scintilacijsko plastjo iz cezijevega jodida in metaliziranim zaščitnim slojem, z aktivno površino 409,6 mm2 × 409,6 mm2 in velikostjo pike 200 μm2 × 200 μm2
panels for x-ray apparatus (x-ray flat panel sensors/x-ray sensors) consisting of a glass plate with a matrix of thin-film transistors, covered with a film of amorphous silicon, coated with a scintillator layer of caesium iodide and a metallised protective layer, with an active surface of 409,6 mm2 × 409,6 mm2 and a pixel size of 200 μm2 × 200 μm2