Şunu aradınız:: peroxymonosulphate (İngilizce - Fransızca)

pentapotassium bis(peroxymonosulphate) bis(sulphate)
bis(peroxymonosulfate)bis(sulfate) de pentapotassium

process for preparing storage-stable sodium peroxymonosulphate solutions
procédé de préparation de solutions de péroxymonosulfate de sodium stables pour le stockage

a method as claimed in claim 2, wherein the peroxidant is a peroxydisulphate or a peroxymonosulphate.
une méthode telle que revendiquée dans la revendication 2, dans laquelle le peroxydant est un peroxydisulfate ou un peroxymonosulfate.

a method as claimed in claim 3, wherein the peroxydisulphate or peroxymonosulphate is the salt of an alkalimetal.
une méthode telle que revendiquée dans la revendication 3, dans laquelle le peroxydisulfate ou le peroxymonosulfate est le sel d'un métal alcalin.

key words: bleaching, peroxymonosulphate, dimethyldioxirane, metal ions, kinetics, decomposition, kraft pulp.
mots clés : blanchiment, peroxymonosulfate, diméthyldioxirane, ions métalliques, cinétique, décomposition, pâte kraft.

a method as claimed in claim 7 or 8, characterised in that the oxidizing agent is a hypochlorite, ozone or potassium peroxymonosulphate.
procédé selon la revendication 7 ou 8, caractérisé en ce que l'oxydant est un hypochlorite, l'ozone ou le peroxomonosulfate de potassium.

the potassium peroxymonosulphate may be prepared according to the method described in u.s. pat. no. 2, 802,722.
le monopersulfate de potassium est préparé selon la méthode décrite dans le brevet us 2 802 722.

a method as claimed in claim 5, characterised in that the bromide donor is applied at a level of 5 ppm and the potassium peroxymonosulphate is applied at a level of 10 ppm.
procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que le donneur de bromure est utilisé à une concentration de 5 ppm et le peroxomonosulfate de potassium est utilisé à une concentration de 10 ppm.

a method as claimed in claim 1, 2 or 3, characterised in that the oxidizing agent is potassium peroxymonosulphate, which is added to the water after addition of the bromide donor.
procédé selon la revendication 1, 2 ou 3, caractérisé en ce que l'oxydant est le peroxomonosulfate de potassium, qui est ajouté à l'eau après addition du donneur de bromure.

information on imports have been analysed at cn code level for the three main types of the like product, ammonium persulphate, sodium persulphate, potassium persulphate, on taric code level for the fourth type, potassium peroxymonosulphate.
les informations sur les importations ont été analysées au niveau du code nc pour les trois principaux types de produit similaire, le persulfate d’ammonium, le persulfate de sodium et le persulfate de potassium, et au niveau du code taric pour le quatrième type, le peroxymonosulfate de potassium.

in a method of fabricating a tft array substrate, a gate wire is formed on an insulating substrate. the gate wire has gate lines, gate electrodes, and gate pads connected to the gate lines. a gate insulating layer and a semiconductor layer are formed in sequence. a data wire is formed, which includes data lines intersecting the gate lines, source electrodes connected to the data lines and placed close to the gate electrodes, drain electrodes opposite the source electrodes with respect to the gata electrodes, and data pads connected to tha data lines. a protective layer is deposited, and is patterned to form contact holes exposing at least the drain electrodes. a silver or silver alloy conductive layer is deposited on the protective layer. the conductive layer is patterned using an etching solution with phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, potassium peroxymonosulphate and ultra-pure water or an etching solution with nitric acid, acetic acid, ethylene glycol and ultra-pure water to thereby form a reflecting layer. the reflecting layer is connected to the drain electrodes through the contact holes.
l'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat de réseau de transistor en couches minces (tft), un fil de grille formé sur un substrat isolant. le fil de grille comprend des lignes de grille, des électrodes de grille, et des coussins de grille reliés aux lignes de grille. une couche isolante de grille et une couche à semi-conducteur sont formées de façon séquentielle. un fil de données est formé, lequel comprend des lignes de données croisant les lignes de grille, les électrodes sources connectées aux lignes de données et placées à proximité des électrodes de grille, des électrodes de drain opposées aux électrodes sources par rapport aux électrodes de grille, et des coussins de données connectés aux lignes de données. une couche de protection est déposée, et modelée de manière à former des trous de contact exposant au moins les électrodes de drain. une couche conductrice en argent ou en alliage d'argent est déposée sur la couche de protection. cette couche de protection est modelée au moyen d'une solution d'attaque contenant de l'acide phosphorique, de l'acide nitrique, de l'acide acétique, du péroxymonosulfate de potassium et de l'eau très pure ou une solution d'attaque contenant de l'acide nitrique, de l'acide acétique, de l'acide phosphorique de l'éthylènglycol et de l'eau très pure en vue de former une couche réfléchissante. cette couche réfléchissante est connectée aux électrodes de drain par le biais des trous de contact.