Şunu aradınız:: pound mole –p–: unit:pound mole (İngilizce - Fransızca)

moles p = area % p
moles p = % aire p

moles % p 1,2,3
% moles p 1,2,3

low dielectric constant insulator materials are fabricated by doping zinc oxide with at least one mole % p-type dopant ion
des matériaux isolants à constante diélectrique faible sont fabriqués par dopage d'oxyde de zinc avec au moins un ion dopant de type p en pourcentage molaire

low dielectric constant group ii-vi compounds, such as zinc oxide, and fabrication methods are disclosed. low dielectric constant insulator materials are fabricated by doping zinc oxide with at least one mole % p-type dopant ion. low dielectric constant zinc oxide insulator materials are fabricated by doping zinc oxide with silicon having a concentration of at least 1017 atoms/cm3. low dielectric zinc oxide insulator materials are fabricated by doping zinc oxide with a dopant ion having a concentration of at least about 1018 atoms/cm3, followed by heating to a temperature which converts the zinc oxide to an insulator. the temperature varies depending upon the choice of dopant. for arsenic, the temperature is at least about 450°c; for antimony, the temperature is at least about 650°c. the dielectric constant of zinc oxide semiconductor is lowered by doping zinc oxide with a dopant ion at a concentration at least about 1018 to about 1019 atoms/cm3.
l'invention porte sur des composés des groupes ii et vi à constante diélectrique faible, tels que de l'oxyde de zinc, et sur des procédés de fabrication. des matériaux isolants à constante diélectrique faible sont fabriqués par dopage d'oxyde de zinc avec au moins un ion dopant de type p en pourcentage molaire. ces matériaux isolants d'oxyde de zinc à constante diélectrique faible sont fabriqués par dopage de l'oxyde de zinc avec du silicium présentant une concentration d'au moins 1017 atomes/cm3. les matériaux isolants d'oxyde de zinc à constante diélectrique faible sont fabriqués par dopage d'oxyde de zinc avec un ion dopant présentant une concentration d'au moins 1018 atomes/cm3 environ, suivi du chauffage à une température qui convertit l'oxyde de zinc en isolant. cette température varie en fonction du choix du dopant. pour l'arsenic, la température est au moins d'environ 450 °c, pour l'antimoine, la température est d'au moins environ 650 °c. la constante diélectrique du semi-conducteur d'oxyde de zinc est diminuée par dopage d'un oxyde de zinc au moyen d'un ion dopant à une concentration d'au moins environ 1018 à 1019 atomes/cm3.