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in particolare, la specie drogante può causare a livello di struttura cristallina sia un addensamento sia una lacuna di elettroni, il che modifica la conduttività del materiale.
specifically, a dopant contributes either an electron deficiency (p dopant) or an electron (n dopant) to the local structure of the molecule's crystal lattice, which in turn alters the conductivity of the material.
il materiale di partenza per produrre cristalli di silicio di tipo nè lo stesso. la differenza è nel processo di drogaggio: mentre per il tipo p viene utilizzato boro come drogante , per il tipo n viene di solito aggiunto il fosforo.
the difference is in the doping process : while for the p-type boron is used as the dopant , for the n type is usually added phosphorus. thus the cells of n -type silicon have two important advantages .
operazione di diffusione durante la quale i circuiti integrati sono formati su di un substrato semiconduttore attraverso l’introduzione selettiva di un drogante appropriato, anche se assemblati e/o testati in un paese non menzionato negli articoli 3 e 4
the operation of diffusion, in which integrated circuits are formed on a semi-conductor substrate by the selective introduction of an appropriate dopant, whether or not assembled and/or tested in a country other than those specified in articles 3 and 4
-circuiti integrati monolitici | fabbricazione in cui: -il valore di tutti i materiali utilizzati non ecceda il 40 % del prezzo franco fabbrica del prodotto, e-entro il predetto limite, il valore di tutti i materiali delle voci 8541 e 8542 utilizzati non ecceda il 10 % del prezzo franco fabbrica del prodottoo operazione di diffusione durante la quale i circuiti integrati sono formati su di un substrato semiconduttore attraverso l'introduzione selettiva di un drogante appropriato, anche se assemblati e/o testati in un paese non menzionato negli articoli 3 e 4 | fabbricazione in cui il valore di tutti i materiali utilizzati non ecceda il 25 % del prezzo franco fabbrica del prodotto |
-monolithic integrated circuits | manufacture in which: -the value of all the materials used does not exceed 40 % of the ex-works price of the product, and-within the above limit, the value of all the materials of headings 8541 and 8542 used does not exceed 10 % of the ex-works price of the productor the operation of diffusion (in which integrated circuits are formed on a semi-conductor substrate by the selective introduction of an appropriate dopant), whether or not assembled and/or tested in a country other than those specified in articles 3 and 4 | manufacture in which the value of all the materials used does not exceed 25 % of the ex-works price of the product |