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ansprechgeschwindigkeit
vitesse de réponse

photoelektrochemische zelle mit hoher ansprechgeschwindigkeit
cellule photoélectrochimique à haute vitesse de réponse

hgcdte-photodiode mit hoher ansprechgeschwindigkeit.
photodiode hgcdte à réponse rapide.

photoelektrische umwandlungsvorrichtung mit hoher ansprechgeschwindigkeit und herstellungsverfahren
dispositif de conversion photo-électrique à haute vitesse de réponse et méthode pour sa fabrication

halbleiter fÜr einen resistiven gassensor mit hoher ansprechgeschwindigkeit
semiconducteur pour capteurs resistifs de gaz a haute vitesse de reaction

vorrichtung zur signalbestimmung welche eine verstärkerschaltung mit variabler ansprechgeschwindigkeit enthält
appareil de détermination de signal comprenant un circuit amplificateur avec vitesse de réponse variable

verfahren und vorrichtung zur verbesserung der elektrooptischen ansprechgeschwindigkeit eines flüssigkristallichtventils.
méthode et système pour améliorer le vitesse de réponse électro-optique d'une valve optique à cristaux liquides.

flüssigkristall-anzeigevorrichtung mit hochqualitätsbild durch verbesserte ansprechgeschwindigkeit und ihr steuerungsverfahren
dispositif d'affichage à cristaux liquides à haute vitesse de réponse avec images de haute qualité et son méthode de commande

ansprechgeschwindigkeit s ausgeglichen. es werden 81 bis 82 db(a) angezeigt.
chapitre 2 procÉdure d’Évaluation des risques variations de niveau par sélection de la réponse s. la mesure qui en résulte se situe entre 81 et 82 db(a).

funktionelle thermische anordnung mit hoher ansprechgeschwindigkeit und verfahren zum antrieb dieser anordnung
dispositif fonctionnel thermique à réponse rapide et procédé pour commander ce dispositif

nematisch flÜssigkristalline verbindung sowie sie enthaltende flÜssigkristalline zusammensetzung mit hoher ansprechgeschwindigkeit und hoher Übergangstemperatur
compose a cristaux liquides nematiques, et composition de cristaux liquides a haute temperature et ultra-rapide comprenant ce compose

die ansprechgeschwindigkeit dieser komparatoren liegt mindestens um einen faktor 4 höher als die flankenanstiegsgeschwindigkeit eines 4 mhz-impulses.
la vitesse de réponse de ces comparateurs est supérieure au moins d'un facteur k à la vitesse de montée du flanc d'une impulsion de k mhz.

regeleinrichtung nach anspruch 8, wobei die ansprechgeschwindigkeit der sekundären stellungssteuerung durch eine rampenschaltung (112) während plötzlicher Übergänge in der last an der gasturbine verlangsamt wird.
système de commande selon la revendication 8, dans lequel la vitesse de réponse de ladite commande secondaire de position est ralentie par un circuit à rampe (112) lors de brusques variations de charge sur ladite turbine à gaz.

schaltkreis nach einem der ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der komparator einen verstärker mit hohem gain, geringer verlustleistung und hoher ansprechgeschwindigkeit (40) umfaßt.
circuit conforme à l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le comparateur comprend un amplificateur à fort gain, faible consommation à réponse rapide (40).

1. halbleiter für einen resistiven gassensor mit hoher ansprechgeschwindigkeit zur bestimmung des partialdrucks von sauerstoff und reduzierenden gasen aus einem dotierten perowskit der allgemeinen zusammensetzung a′ x a₁ -x-z1 b′ y b₁ -y-z2 o₃,wobei a′, a, b′ und b elemente und die parameter z1 und z2 stöchiometrieindices bedeuten, dadurch gekennzeichnet, daß a) der wert von x im bereich von 0 bis 0,05, der wert von y im bereich von 0 bis 0,1 und die absolutwerte von z1 und z2 im bereich von 0 bis 0,002 liegen, b) der halbleiter mit hilfe der dickfilmtechnik hergestellt ist, wobei die schichtdicke weniger als 100 µm, vorzugsweise zwischen etwa 1 und 20 µm beträgt.
1. semi-conducteur pour un capteur résistif de gaz à grande vitesse de réponse, destiné à déterminer la pression partielle de l'oxygène et de gaz réducteurs à partir d'une perovskite dopée ayant la composition générale a′ x a₁ -x-z1 b′ y b 1-y-z2 o₃, où a′, a, b′ et b sont des éléments, et les paramètres z1 et z2 représentent les indices stoechiométriques, caractérisé en ce que: a) x est compris entre 0 et 0,05, y est compris entre 0 et 0,1, et les valeurs absolues de z1 et z2 sont comprises entre 0 et 0,002, b) le semi-conducteur est fabriqué par la technique des couches épaisses, l'épaisseur de couche étant inférieure à 100 µm et de préférence comprise entre 1 et 20 µm.