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integrierter halbleiterspeicher mit organischem auswahltransistor
memoire a semi-conducteurs integree pourvue d'un transistor de selection organique

niederohmige kontaktstruktur für einen auswahltransistor von eeprom-speicherzellen
structure de contact à faible résistance pour un transistor de sélection des cellules de mémoire eeprom

halbleiterspeicherzelle mit grabenkondensator und auswahltransistor und verfahren zu ihrer herstellung
cellule de memoire a semi-conducteur pourvue d'un condensateur en tranchee et d'un transistor de selection, et son procede de production

vertikaler mosfet transistor, insbesondere als auswahltransistor für nichtflüchtige speichereinrichtung betrieben
transistor mosfet vertical, en particulier utilisé en tant que transistor de sélection pour un dispositif mémoire non-volatile

halbleiteranordnung mit nichtflüchtigen speicherzellen, die je einen speichertransistor und einen auswahltransistor aufweisen
dispositif semi-conducteur ayant des cellules de mémoire non-volatile, chacune comprenant un transistor de mémiore et un transistor de sélection

speicherzelle mit grabenkondensator und vertikalem auswahltransistor und einem zwischen diesen geformten ringfÖrmigen kontaktierungsbereich
cellule memoire comprenant un condensateur a tranchee et un transistor de selection vertical et presentant une zone de contact annulaire formee entre ceux-ci

speicher mit einer speicherzelle, umfassend einen auswahltransistor und einen speicherkondensator sowie verfahren zu seiner herstellung
memoire a cellule comprenant un transistor de selection et un condensateur de memorisation, et procede de fabrication associe

ein speichertransistor und ein auswahltransistor eines bildsensors sind in reihe und zwischen einer bitleitung (b5) und einer referenzleitung (r5) geschaltet.
un transistor de mémoire et un transistor de sélection d'un capteur d'images sont connectés en série entre une ligne (b5) de bits et une ligne de référence (r5).

halbleiterspeicher gemäß anspruch 5, weiterhin dadurch gekennzeichnet, daß jede pseudospeicherzelle einen datenspeicherungskondensator (31) und einen auswahltransistor (32) aufweist.
mémoire à semiconducteur selon la revendication 5, caractérisée en outre en ce que chaque cellule de mémoire fictive comprend une capacité de stockage de données (31) et un transistor de sélection (32).

halbleiterspeicheranordnung mit einem kondensator nach patentanspruch 1 und einem zugeordneten auswahltransistor (3, 4, 5), der das dotierte gebiet (3) umfaßt.
dispositif de mémoire à semi-conducteur comprenant un condensateur suivant la revendication 1 et un transistor (3, 4, 5) de sélection qui lui est associé et qui comporte la zone (3) dopée.

4. integrierte schaltung nach anspruch 2 oder anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die zwei schwebendgatespeicherzellen (c₁ und c₂) innerhalb des gleichen metallrings angeordnet sind, wobei deren jede einen auswahltransistor (ts₁ und ts₂) besitzt und als gemeinsame zwischen ihnen erstreckende verbindung lediglich ihre sources (s₁ und s₂) aufweist, die mit dem gleichen signal der gesteuerten masse (ag) beaufschlagt werden, so daß eine doppelte uuprom-zelle verwirklicht wird.
4. circuit selon l'une quelconque des revendications 2 ou 3, caractérisé en ce que deux cellules mémoire à grille flottante (c₁, c₂) sont à l'intérieur d'un même anneau de métal, ayant chacune leur transistor de sélection (ts₁, ts₂) et n'ayant comme lien commun entre elles que leurs sources (s₁, s₂) liées à un même signal de masse commandée (ag), réalisant ainsi une double cellule uuprom.