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verfahren zur herstellung einer nitrid-halbleiterkristallschicht, nitrid-halbleiterkristallschicht und substrat zu deren herstellung
procédé de fabrication d'une couche cristalline à semiconducteur de nitrure, couche cristalline à semiconducteur de nitrure et substrat pour sa fabrication

feldeffekttransistor nach anspruch 1, wobei das indium-zusammensetzungsverhältnis der ersten halbleiterkristallschicht kontinuierlich zu dem gallium-arsenid (gaas)-halbleitersubstrat hin ansteigt.
transistor à effet de champ selon la revendication 1, dans lequel ledit rapport de composition de l'indium de ladite première couche de cristal semiconducteur augmente d'une façon continue vers ledit substrat semiconducteur d'arséniure de gallium (gaas).

feldeffekttransistor mit: einer ersten halbleiterkristallschicht (3) aus einem indium-gallium-arsenid (ingaas), die auf einem galliumarsenid (gaas)-halbleitersubstrat (1,2) gebildet ist; einer zweiten halbleiterkristallschicht (4, 5) aus einem aluminium-gallium-arsenid (algaas), die auf der ersten halbleiterkristallschicht (3) gebildet ist; und einer source-elektrode (8), einer gate-elektrode (9) und einer drain-elektrode (7) in elektrischem kontakt mit den freigelegten bereichen der zweiten halbleiterschicht (4, 5), dadurch gekennzeichnet, daß die erste halbleiterschicht (3) so gebildet ist, daß das indium-zusammensetzungsverhältnis der ersten halbleiterschicht (3) an der seite der zweiten halbleiterschicht (4, 5) kleiner als an der seite des substrats (1, 2) ist.
transistor à effet de champ comprenant : une première couche de cristal semiconducteur (3) d'arséniure d'indium et de gallium (ingaas) formée sur un substrat semiconducteur (1, 2) d'arséniure de gallium (gaas); une deuxième couche de cristal semiconducteur (4, 5) d'arséniure d'aluminium et de gallium (algaas) formée sur ladite première couche de cristal semiconducteur (3); et une électrode de source (8), une électrode de grille (9) et une électrode de drain (7), en contact électrique avec les portions exposées de ladite deuxième couche semiconductrice (4, 5), caractérisé en ce que ladite première couche semiconductrice (3) est formée de telle sorte que le rapport de composition de l'indium de ladite première couche semiconductrice (3) du côté de ladite deuxième couche semiconductrice (4, 5) est plus petit que du côté dudit substrat (1, 2).