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leistungshalbleiterbauelement mit einer spannungsaufrechterhaltungsregion mit dotierten sÄulen, die mit einem einzigen ionenimplantationsschritt ausgebildet werden
dispositif de puissance a semi-conducteur comprenant une zone de maintien de tension renfermant des colonnes dopees formees au moyen d'une operation d'implantation d'ions simples
最后更新: 2014-12-03
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hochspannungs-leistungsmosfet mit einer spannungsaufrechterhaltungsregion mit durch grabenÄtzung ausgebildeten dotierten spalten, wobei ein Ätzgas verwendet wird, das auch eine dotierungsquelle ist
transistor mos de haute tension comprenant une zone de support de tension comportant des colonnes dopees formees par gravure de tranchee effectuee au moyen d'un gaz de gravure constituant egalement un dopant
最后更新: 2014-12-03
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hochspannungs-leistungs-mosfet mit einer spannungsaufrechterhaltungsregion mit dotierten kolumnen, die durch grabenÄtzung und diffusion aus regionen aus entgegengesetzt dotiertem polysilizium ausgebildet sind
transistor mosfet de puissance haute tension comprenant une zone de maintien de la tension pourvue de colonnes dopees formees par gravure des tranchees et diffusion de zones de polysilicone dopees de maniere opposee
最后更新: 2014-12-03
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