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verfahren nach anspruch 12, wobei der wärmebehandlungsschritt das karbunitrieren des pulvermetallteils aufweist.
procédé selon la revendication 12 dans lequel l'étape du traitement thermique comprend la carbonitruration de la pièce en métal fritté.

prozeß nach anspruch 11, bei dem der wärmebehandlungsschritt in anwesenheit von sauerstoff durchgeführt wird.
procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que ladite étape de traitement thermique est effectuée en présence d'oxygène.

verfahren nach anspruch 1, wobei der wärmebehandlungsschritt in einer inerten atmosphäre ausgeführt wird.
procédé selon la revendication 1, dans lequel ladite étape de recuit est effectuée dans une atmosphère inerte.

verfahren nach anspruch 1, bei dem der wärmebehandlungsschritt den schritt des ausscheidungshärtens des befestigungselements aus aluminiumlegierung enthält.
procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape de traitement thermique inclut l'étape consistant à vieillir par précipitation l'article de fixation en alliage d'aluminium.

verfahren nach anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der wärmebehandlungsschritt für wenigstens eine halbe stunde durchgeführt wird.
méthode selon la revendication 1, caractérisée en ce que ladite étape de traitement thermique est conduite pendant au moins une demi-heure.

verfahren nach anspruch 5, wobei der bindungsschritt die mikrostruktur des durch den wärmebehandlungsschritt erhaltenen zerstäubungstargetmaterials nicht verändert.
procédé selon la revendication 5, dans lequel l'étape de liaison ne modifie pas la microstructure du matériau cible de la pulvérisation obtenue à l'étape de traitement à chaud.

dieser prozess lässt sich zusätzlich durch eine heizeinrichtung (25) in einem nachfolgenden wärmebehandlungsschritt unterstützen.
ce processus est supporté par un dispositif de chauffage (25) dans une étape de traitement de la chaleur ultérieure.

verfahren nach anspruch 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß nach ausbilden jeder schicht aus ferroelektrischem material ein wärmebehandlungsschritt durchgeführt wird.
procédé selon les revendication 6 à 8, caractérisé en outre par l'étape consistant à effectuer un recuit après la réalisation de chaque couche de matériau ferroélectrique.

herstellungsverfahren nach anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass der wärmebehandlungsschritt glühen bei einer temperatur größer als 1093 °c enthält.
procédé de fabrication selon la revendication 18, caractérisé en ce que la composition constitutive comprend du n et du c en une quantité supérieure à 0,65 % au total.

verfahren nach anspruch 8 oder 9, wobei der wenigstens eine wärmebehandlungsschritt eine destillation umfaßt und das ibuprofen als destillat-fraktion entfernt wird.
procédé suivant la revendication 8 ou 9, dans lequel l'étape de traitement thermique d'au moins un type comprend une distillation, et dans lequel l'ibuprofène est séparé sous forme d'une fraction de distillat.

verfahren nach anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in diesem wärmebehandlungsschritt das genannte partialdruckverhältnis von sauerstoff zu wasserdampf in dieser atmosphäre größer als ca. 15 ist.
méthode selon la revendication 1, caractérisée en ce que, dans ladite étape de traitement thermique, ledit rapport de la pression partielle de l'oxygène à celle de la vapeur d'eau dans ladite atmosphère est supérieur à environ 15.

ein verfahren zur herstellung eines oxid-supraleiterdrahtes nach anspruch 5, worin walz- und wärmebehandlungsschritte mindestens einmal nach besagtem wärmebehandlungsschritt ausgeführt werden.
procédé pour la fabrication d'un câble supraconducteur à base d'oxyde selon la revendication 5, dans lequel les étapes de laminage et de traitement thermique sont effectuées au moins une fois après ladite étape de traitement thermique.

herstellungsverfahren des halbleiterbauelements nach anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der wärmebehandlungsschritt des kondensators aus einem ersten schritt zum aufheizen in einem inertgas oder im vakuum und einem zweiten schritt zum aufheizen in einem sauerstoff enthaltenden gas besteht.
procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, dans lequel l'étape de traitement thermique du condensateur est constituée d'une première étape de chauffage dans un gaz inerte ou sous vide, et d'une seconde étape de chauffage dans un gaz contenant de l'oxygène.

verfahren nach anspruch 1, wobei nach schritt (c), aber vor schritt (d), ein optionaler wärmebehandlungsschritt ausgeführt wird.
un procédé tel que revendiqué à la revendication 1, dans lequel une étape de cuisson optionnelle est accomplie après l'étape (c), mais avant l'étape (d).

verfahren nach anspruch 1 oder 2, bei dem der wärmebehandlungsschritt jeder abscheidungsstufe in der herstellung der ummantelungsschicht (6) das fließen bei 1000°c über eine stunde einschließt.
procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'étape de recuit de chaque étape de dépôt de la production de la couche de gaine (6) comporte un fluage à 1000°c pendant une heure.

herstellungsverfahren nach anspruch 20, bei dem der wärmebehandlungsschritt einen schritt des wiederholens eines schritts zum anheben der temperatur des sitiziumcarbid-einkristalls und einen schritt zum absenken der temperatur des siliziumcarbid-einkristalls ausgehend von der angehobenen temperatur umfasst.
procédé de fabrication selon la revendication 20, dans lequel ladite étape de traitement thermique comprend une étape de répétition d'une étape pour augmenter la température dudit monocristal de carbure de silicium ou d'une étape pour abaisser la température dudit monocristal de carbure de silicium à partir de ladite température augmentée.

der prozeß nach anspruch 1, ferner aufweisend den zusätzlichen schritt, daß vor dem wärmebehandlungsschritt a) das substrat bei einer temperatur von ungefähr 90°c wärmebehandelt wird. der prozeß nach anspruch 5, wobei der entwickler eine basische lösung enthält.
procédé selon la revendication 1, comprenant en outre l'étape supplémentaire, précédant ladite étape de cuisson, consistant à : a) cuire ledit substrat à une température d'environ 90°c. procédé selon la revendication 5, dans lequel ledit développeur comprend une solution base.