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wolframnitridschicht

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herstellungsverfahren für eine wolframnitridschicht und metallische leiterbahnen

法语

procédé de fabrication d'une couche de nitrure de tungstène (wnx) et méthode de formation d'un câblage métallique

最后更新: 2014-12-03
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vorrichtung und verfahren zur herstellung einer wolframnitridschicht

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procédé et appareil de fabrication d'une couche de nitrure de tungstène

最后更新: 2014-12-03
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unebener speicherkondensator nach anspruch 1, wobei die wolframnitridschicht ein gleichmäßiger film mit guter haftung ist.

法语

le condensateur de stockage non planaire selon la revendication 1, dans lequel la couche de nitrure de tungstène est une pellicule conforme ayant une bonne adhérence.

最后更新: 2014-12-03
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unebener speicherkondensator nach anspruch 1, wobei die wolframnitridschicht ein gleichmäßiger film mit niedrigem, spezifischem widerstand ist.

法语

le condensateur de stockage non planaire selon la revendication 1, dans lequel la couche de nitrure de tungstène est une pellicule conforme ayant une faible résistivité.

最后更新: 2014-12-03
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unebener speicherkondensator nach anspruch 1, wobei die wolframnitridschicht durch chemische dampfabscheidung unter verwendung eines stickstoff, wolfram und silizium enthaltenden gases ausgebildet worden ist.

法语

le condensateur de stockage non planaire selon la revendication 1, dans lequel la couche de nitrure de tungstène est formée par dépôt chimique en phase vapeur utilisant un gaz comprenant l'azote, le tungstène et le silicium.

最后更新: 2014-12-03
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unebener halbleiterspeicherkondensator mit: a) einer unebenen ersten kondensatorelektrode; b) einer dielektrischen schicht, die über der ersten kondensatorelektrode liegt; und c) einer wolframnitridschicht, die über der dielektrischen schicht liegt, wobei die wolframnitridschicht eine zweite kondensatorelektrode für den unebenen speicherkondensator bildet, wobei die wolframnitridschicht silizium enthält.

法语

un condensateur semi-conducteur de stockage non planaire, comprenant : a) une première électrode de condensateur non planaire ; b) une couche diélectrique recouvrant ladite première électrode de condensateur ; et c) une couche de nitrure de tungstène recouvrant ladite couche diélectrique, ladite couche de nitrure de tungstène formant une seconde électrode de condensateur du condensateur de stockage non planaire, ladite couche de nitrure de tungstène comprenant le silicium.

最后更新: 2014-12-03
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