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lithographisches verfahren mit einer auflösung unterhalb der belichtungswellenlänge
a lithographic process having sub-wavelength resolution

methode und vorrichtung für modellgestützte plazierung phasenbalancierter hilfsstrukturen für optische lithographie mit auflösungsgrenzen unterhalb der belichtungswellenlänge
method and apparatus for performing model based placement of phase-balanced scattering bars for sub-wavelength optical lithography

zusammensetzung nach anspruch 1, bei der die antireflexionsbeschichtung eine optische dichte von mindestens 5,0 pro µm dicke bei einer belichtungswellenlänge von 365 nm aufweist.
the composition of claim 1 wherein the anti-reflective coating has an optical density of at least 5.0 per µm thickness at 365 nm exposing wavelength.

hierzu müssen die verwendeten pbo-vorstufen bei der belichtungswellenlänge weitgehend transparent und im - vorzugsweise metallionenfreien - entwickler ausreichend löslich sein.
to this end, the pbo precursors used must be substantially transparent at the exposure wavelength and sufficiently soluble in the developer, which preferably contains no metal ions.

für die belichtung in speziellen wellenlängenbereichen, wie beispielsweise im kurzwelligen uv (< 300 nm), ist eine hohe transparenz der schichten bei der jeweiligen belichtungswellenlänge gefordert.
irradiation in specific wavelength regions, for example in the shortwave uv region (&lt;555 nm), requires a high transparency of the layers at the particular irradiation wavelength.

da zur erzeugung sehr kleiner strukturen kürzere belichtungswellenlängen und hohe numerische aperturen benötigt werden, gerade dies aber den bereich der tiefenschärfe verkleinert, ist es nämlich bei naßentwickelbaren einlagenresists sehr schwierig, bei relativ dicken resistschichten und unvermeidbaren schichtdickenschwankungen auf stufentopographien eine hohe auflösung zu erzielen. darüber hinaus sind systeme der genannten art für den einsatz als duv-resist ungeeignet, insbesondere wegen der hohen eigenabsorption von novolaken, beispielsweise bei 248 nm.
to produce very small structures, shorter exposure wavelengths and high numerical apertures are needed. unfortunately, this reduces the range of the depth of focus, making it very difficult to use liquid-developable single-layer resists (with relatively thick resist layers and unavoidable fluctuations in layer thickness) when high resolution on graduated topographies is required. in addition, these systems are not suited for application as duv resists, particularly due to the high self-absorption of novolak, for example, at 248 nm.