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transistor mit hoher elektronenmobilität
high electron mobility transistor

halbleiteranordnung mit hoher elektronenmobilität.
high electron mobility semiconductor device.

indium-galliumnitridkanaltransistoren mit hoher elektronenmobilitÄt und verfahren zu ihrer herstellung
indium gallium nitride channel high electron mobility transistors, and method of making the same

methode zur herstellung eines selbstjustierten, selektiv geÄtzten transistors mit hoher elektronenmobilitÄt und doppelter vertiefung
method of forming a self-aligned, selectively etched, double recess high electron mobility transistor

das material graphen weist eine hohe elektronenmobilität auf und kann durch seine daraus resultierende leitfähigkeit für die verbesserung elektronischer geräte eingesetzt werden.
graphene exhibits high electron mobility and is one of the most promising materials for improving electronic devices.

transistor mit hoher elektronenmobilitÄt (hemt) auf der basis von gruppe-iii-nitrid mit barrieren-/abstandsschicht
group-iii nitride based high electron mobility transistor (hemt) with barrier/spacer layer

aus schichten von gruppe-xiii-element-nitriden bestehender transistor mit hoher elektronenmobilitÄt (hemt) und herstellungsverfahren dafÜr
high electron mobility transistor (hemt) made of layers of group xiii element nitrides and manufacturing method thereof.

die leitfähigkeit des so erzeugten graphens liegt unter 10 s·cm−1, die elektronenmobilität zwischen 2–200 cm2·v−1·s−1 für fehlstellen und 0,5–30 cm2·v−1·s−1 für elektronen.
however, the conductivity of the graphene obtained by this route is below 10 s/cm, and the charge mobility is between 0.1 and 10 cm2/vs.