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mots clés : arsenic, arsolium, arsénium, liaison pπ, soufre, hétéronaphtalénique.
keywords: arsenic, arsolium, arsenium, pπ-bonding, sulfur, heteronaphthalenic.

ladite couche est alignée en réseau par rapport à la tranche de silicium et à la couche de nitrure arsénium iii-v monocristalline
the accommodating buffer layer is lattice matched to both the underlying silicon wafer and the overlying monocrystalline iii-v arsenide nitride material layer

caractéristiques de l’invention on monte des lamelles d’arsénium de gallium sur un bloc, ou un disque de polissage adjacent à un milieu de polissage.
features of the invention gallium arsenide slices are mounted on a polishing block or wheel adjacent to a polishing medium.

a titre d'exemple, la mosaïque émettrice comporte 64x64 eléments qui sont des diodes gaalinp é lectroluminescentes émettant dans le domaine visible, réalisées sur un substrat en arsénium de gallium.
for example, the emitting mosaic has 64 light emitting gaalinp diodes, which emit in the visible range and which are produced in a gallium arsenide substrate.

procédé selon la revendication 1, comportant en outre l'apport dudit composé de type iii-v fourni en tant que de l'arsénium de gallium contenant des dopants.
the method of claim 1, further comprising providing said iii-v compound as gallium arsenide containing dopants.

objet de l’invention un polissage de surfaces planes d’arsénium de gallium permettant d’obtenir un poli d’un haut degré de perfection quelle que soit l’orientation cristallographique ou le type de conductivité.
object of the invention a method for polishing gallium arsenide planar surfaces to a high degree of perfection irrespective of the crystallographic orientation or conductivity type.