您搜索了: soi appliqu (法语 - 英语)

odrugs et l'alcool entrent évidemment la stratégie de la conscience de soi appliqué.
odrugs and alcohol obviously enter the strategy of self applied awareness.

un système d'ellipsométrie à une seule longueur d'onde (swe) sur une couche mince se trouvant sur un substrat multicouche, tel qu'un silicium sur isolant (soi), applique un faisceau de mesure possédant une distance d'absorption inférieure à l'épaisseur de la couche superficielle du substrat multicouche. par exemple, pour un substrat soi, le faisceau de mesure présentant une longueur d'onde induisant une distance d'absorption inférieure à l'épaisseur de la couche de silicium superficielle est choisi. ce système peut comprendre un laser nettoyant permettant d'assurer le nettoyage concurrent en vue d'augmenter la précision de mesure sans effet néfaste sur le rendement. la source de faisceau de mesure peut être configurée pour fournir un faisceau de mesure à une longueur d'onde et un faisceau nettoyant à une longueur d'onde supérieure, de sorte que la profondeur d'absorption du faisceau de mesure soit inférieure à l'épaisseur de la couche superficielle alors que la profondeur d'absorption du faisceau nettoyant est supérieure à l'épaisseur de la couche superficielle.
a system for performing single wavelength ellipsometry (swe) on a thin film on a multi-layer substrate such as silicon-on-insulator (soi) applies a measurement beam having an absorption distance less than the thickness of the superficial layer of the multi-layer substrate. for example, for an soi substrate, the measurement beam is selected to have a wavelength that results in an absorption distance that is less than the superficial silicon layer thickness. the system can include a cleaning laser to provide concurrent cleaning to enhance measurement accuracy without negatively impacting throughput. the measurement beam source can be configured to provide a measurement beam at one wavelength and a cleaning beam at a longer wavelength, so that the absorption depth of the measurement beam is less than the superficial layer thickness while the absorption depth of the cleaning beam is greater than the superficial layer thickness.