来自专业的译者、企业、网页和免费的翻译库。
3c005 kohdassa tarkoitetut "substraatit", joissa on vähintään yksi epitaksinen kerros piikarbidia, galliumnitridiä, aluminiumnitridiä tai aluminiumgalliumnitridiä.
"substrates" specified in 3c005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
005 kohdassa tarkoitetut ”substraatit”, joissa on vähintään yksi epitaksinen kerros piikarbidia, gallium- nitridiä, aluminiumnitridiä tai aluminiumgalliumnitridiä.
“substrates” specified in 3c005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.