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the present invention concerns a particulate support matrix, a solid dosage form made therefrom, and processes for making such support matrices and dosage forms, which desintegrate or dissolve in a matter of just a few seconds once placed into the oral cavity
l'invention concerne une matrice de support particulaire, une forme de dosage solide constituée à partir de cette matrice, et des procédés de fabrication de ces matrices de support et de ces formes de dosage qui se désintègrent ou se dissolvent en à peine quelques secondes après les avoir placées dans la cavité buccale
the present invention concerns a particulate support matrix, a solid dosage form made therefrom, and processes for making such support matrices and dosage forms, which desintegrate or dissolve in a matter of just a few seconds once placed into the oral cavity.
l'invention concerne une matrice de support particulaire, une forme de dosage solide constituée à partir de cette matrice, et des procédés de fabrication de ces matrices de support et de ces formes de dosage qui se désintègrent ou se dissolvent en à peine quelques secondes après les avoir placées dans la cavité buccale.
a method for manufacturing compound semiconductors by which a mixed crystal layer of a iii-v compound semiconductor containing at least another group v element in addition to the nitrogen element contained in a high proportion can be obtained without lowering the crystallinity of the layer at the time of epitaxial growth of the mixed crystal layer with a molecular beam. the method is characterised in that a iii-v compound semiconductor crystal containing at least another group v element in addition to nitrogen is caused to grow by irradiating a substrate with a molecular beam of a raw material in an evacuated crystal growth chamber so that the mean free path of the molecules of the raw material become longer than the distance between the substrate and the emitting source of the molecular beam and that a nitrogen compound is used as the nitrogen source at the time of growing the crystal where the molecules of the nitrogen compound desintegrate and yield nitrogen atoms after the molecules reach the surface of the substrate and only the nitrogen atoms are incorporated in the semiconductor crystal.
l'invention concerne un procédé de fabrication de semi-conducteurs composés permettant d'obtenir une couche de cristal mixte d'un semi-conducteur composé des groupes iii-v comportant au moins un autre élément du groupe v en plus de l'azote, déjà contenu en grande quantité, sans pour autant réduire la cristallinité de la couche durant la croissance épitaxiale de la couche de cristal mixte obtenue à l'aide d'un faisceau moléculaire. le procédé consiste à faire croître un cristal de semi-conducteur composé des groupes iii-v, comportant au moins un autre élément du groupe v en plus de l'azote, en irradiant un substrat avec un faisceau moléculaire d'une matière première dans une chambre de croissance de cristal sous vide, de sorte que le libre parcours moyen des molécules de la matière première puisse s'allonger par rapport à la distance comprise entre le substrat et la source du faisceau moléculaire. le procédé consiste en outre, durant la croissance du cristal, à utiliser un composé d'azote en tant que source d'azote, les molécules du composé d'azote étant désintégrées pour produire des atomes d'azote une fois que les molécules ont atteint la surface du substrat, seul les atomes d'azote étant incorporés dans le cristal semi-conducteur.