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devices that are compatible with the fusi workfunction have the ge containing layer removed prior to the junction silicidation step
les dispositifs qui sont compatibles avec le travail de sortie fusi ont la couche qui contient du ge éliminée avant l'étape d'application de siliciure de jonction
a second stress liner is located on the upper surface of the first stress liner as well as atop the nfet that contains the fusi gate electrode
une deuxième bande de contrainte est située sur la surface supérieure de la première bande de contrainte et sur le dessus du nfet contenant l'électrode de grille entièrement siliciée
36. the fusi alofa association directed teaching programmes for children with disabilities, in addition to disability awareness programmes.
m. jogia souligne que l'association fusi alofa dirige des programmes d'enseignement à l'intention des enfants handicapés, ainsi que des programmes de sensibilisation au handicap.
an improved method of forming a fully suicided (fusi) gate in both nmos and pmos transistors of the same mos device is disclosed
l'invention concerne un procédé amélioré de formation d'une grille entièrement siliciurée (fusi) dans des transistors à la fois nmos et pmos du même dispositif mos
a metal layer is formed over the bottom silicon portion of the interim gate electrode stack and over source and drain regions of the substrate, all of which are suicided at the same time to form a folly suicided (fusi) gate electrode and suicided source and drain regions.
une couche métallique est formée sur la partie de silicium inférieure de la pile d'électrode de grille provisoire et sur les zones de source et de drain du substrat, toutes étant siliciurées au même moment, afin de former une électrode de grille entièrement siliciurée (fusi) et des zones de source et de drain siliciurées.