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semiconductor device with tensile strain silicon introduced by compressive material in a buried oxide layer
dispositif a semi-conducteurs au silicium a contrainte de tension introduit par un materiau compressif dans une couche d'oxyde enfouie
a transistor having a channel with tensile strain and oriented along a crystallographic orientation with increased charge carrier mobility
transistor ayant un canal avec une tension de traction et orientÉ selon une orientation cristallographique avec une augmentation de la mobilite du porteur de charge
the method may induce tensile strain in the silicon fins by filling the trenches with compressively strained silicon nitride or silicon oxide
le procédé peut induire une contrainte de traction dans les ailettes de silicium en remplissant les tranchées de nitrure de silicium ou d'oxyde de silicium contraint en compression
however, such tensile strain can be relaxed because the wheel does not come into contact with the drive lugs in the meandering movement.
cependant, un tel allongement par traction peut être relâché car la roue ne vient pas en contact avec les saillies d'entraînement dans le mouvement de serpentement.
method and apparatus for adjusting the resonance frequency of a microelectromechanical (mems) resonator using tensile strain and applications thereof
procede et dispositif permettant de regler la frequence de resonance d'un resonateur microelectromecanique (mems) a l'aide de l'allongement en traction et applications correspondantes
the well layers comprise well layers of a first type having tensile strain together with or without well layers of a second type having compressive strain
il existe un premier type de couches de puits soumises à une contrainte de traction avec ou sans un deuxième type de couches de puits soumises à une contrainte de compression
the first iii-v donor provides both tensile strain to compensate compressive strain in the channel layer and carriers to the channel layer.
la première couche de donneurs iii-v assure une fonction de déformation en traction afin de compenser les contraintes de compression dans la couche canal et permet d'obtenir des porteurs de charge dans la couche canal.
the compressive strain may induce compressive strain in a pmos channel when deposited around the channel and induce tensile strain in an nmos channel when deposited over the channel.
la contrainte de compression peut induire une contrainte de compression dans un canal pmos lorsqu'elle est placée autour du canal et peut induire une contrainte de traction dans un canal nmos lorsqu'elle est placée au-dessus du canal.