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Bilgi

Almanca

störstellenkonzentration

Fransızca

dopage

Son Güncelleme: 2014-11-13
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Almanca

basisstruktur mit abnehmender störstellenkonzentration

Fransızca

structure à base graduelle

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halbleiterbauelement mit bereichen unterschiedlicher störstellenkonzentration

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dispositif à semiconducteur ayant des caissons avec des concentrations d'imperfections différentes

Son Güncelleme: 2014-12-03
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Almanca

die struktur nach einem der vorhergehenden ansprüche, wobei die störstellenkonzentration des substrates (p+) größer als 1 x 10 19 pro cm 3 ist.

Fransızca

la structure selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle la concentration d'impuretés dudit substrat (p+) excède 1 x 10 19 /cm 3 .

Son Güncelleme: 2014-12-03
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Almanca

die struktur nach einem der vorhergehenden ansprüche, wobei die störstellenkonzentration der stark dotierten schicht (n+) größer als 1 x 10 19 pro cm 3 ist.

Fransızca

la structure selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle la concentration en impuretés de ladite couche fortement dopée (n+) excède 1 x 10 19 /cm.

Son Güncelleme: 2014-12-03
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Almanca

halbleiterlaser nach anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die ingaas-schicht (31, 32) eine störstellenkonzentration von 1 x 10 18 /cm 3 aufweist.

Fransızca

laser à semi-conducteur selon la revendication 5, caractérisé en ce que ledit niveau ingaas (31, 32) comporte une concentration en impureté de 1 x 10 18 /cm 3 .

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Almanca

anzeigevorrichtung nach einem der ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß ein source-bereich und ein drain-bereich des selbst-ausgerichteten dünnfilmtransistors eine störstellenkonzentration über 1 x 10 20 cm -3 aufweisen.

Fransızca

dispositif d'affichage selon l'une quelconque des revendications 10 à 12, caractérisé en ce qu'une zone de source et une zone de drain dudit transistor à couches minces auto-aligné ont une concentration en impuretés supérieure à 1 . 10 20 cm -3 .

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