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störstellenkonzentration
dopage

basisstruktur mit abnehmender störstellenkonzentration
structure à base graduelle

halbleiterbauelement mit bereichen unterschiedlicher störstellenkonzentration
dispositif à semiconducteur ayant des caissons avec des concentrations d'imperfections différentes

die struktur nach einem der vorhergehenden ansprüche, wobei die störstellenkonzentration des substrates (p+) größer als 1 x 10 19 pro cm 3 ist.
la structure selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle la concentration d'impuretés dudit substrat (p+) excède 1 x 10 19 /cm 3 .

die struktur nach einem der vorhergehenden ansprüche, wobei die störstellenkonzentration der stark dotierten schicht (n+) größer als 1 x 10 19 pro cm 3 ist.
la structure selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle la concentration en impuretés de ladite couche fortement dopée (n+) excède 1 x 10 19 /cm.

halbleiterlaser nach anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die ingaas-schicht (31, 32) eine störstellenkonzentration von 1 x 10 18 /cm 3 aufweist.
laser à semi-conducteur selon la revendication 5, caractérisé en ce que ledit niveau ingaas (31, 32) comporte une concentration en impureté de 1 x 10 18 /cm 3 .

anzeigevorrichtung nach einem der ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß ein source-bereich und ein drain-bereich des selbst-ausgerichteten dünnfilmtransistors eine störstellenkonzentration über 1 x 10 20 cm -3 aufweisen.
dispositif d'affichage selon l'une quelconque des revendications 10 à 12, caractérisé en ce qu'une zone de source et une zone de drain dudit transistor à couches minces auto-aligné ont une concentration en impuretés supérieure à 1 . 10 20 cm -3 .