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halbleiterspeicherbauelement
semiconductor memory device

nichtflüchtiges halbleiterspeicherbauelement
non-volatile semiconductor memory device

halbleiterspeicherbauelement und verfahren
a 2f?2 memory device system and method

halbleiterspeicherbauelement und dessen herstellungsverfahren
semiconductor memory device and method for manufacturing the same

halbleiterspeicherbauelement, - system und zugriffsverfahren
semiconductor memory device, system, and method of controlling accessing to memory

halbleiterspeicherbauelement und herstellungsverfahren für halbleiterbauelement
semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor device

halbleiterspeicherbauelement und verfahren zur herstellung.
semiconductor memory device and method of manufacturing the same.

herstellungsverfahren für festwert-mos-halbleiterspeicherbauelement
methode of making a non-volatile mos semiconductor memory device

halbleiterelement und das dieses verwendende halbleiterspeicherbauelement
semiconductor element and semiconductor memory device using the same

halbleiterspeicherbauelement mit speicherzellen, logikbereichen und fÜllstrukturen
semiconductor storage component with storage cells, logic areas and filling structures

halbleiterspeicherbauelement, dessen herstellungsverfahren und dessen betriebsweise
semiconductor memory device, method of manufacturing the same and method of driving the same

nichtflüchtiges sonos-halbleiterspeicherbauelement und dessen herstellungsverfahren
non-volatile sonos semiconductor memory device and method of manufacturing the same

halbleiterspeicherbauelement und verfahren zu herstellung und betrieb davon
semiconductor memory device and methods of manufacturing and operating the same

nichtflüchtiges halbleiterspeicherbauelement, dessen herstellungsverfahren und dessen betriebsverfahren
nonvolatile semiconductor memory device, process of manufacturing the same and method of operating the same

charge-trapping-halbleiterspeicherbauelement mit ladungshaftstellen-speicherzellen
charge trapping semiconductor memory with charge trapping memory cells

nichtflüchtiges halbleiterspeicherbauelement, welches die anforderungen an dessen spannungsfestigkeit verringert.
nonvolatile semiconductor memory that eases the dielectric strength requirements.

polykristalline speicherstruktur, deren herstellungsverfahren und halbleiterspeicherbauelement die diese struktur verwendet
polycrystalline memory structure, method for forming same structure, and semiconductor memory device using same structure

halbleiterspeicherbauelement für digital- und analogspeicheranwendungen mit ein-mosfet-speicherzellen.
semi-conductor memory device for digital and analog memory application using single mosfet memory cells.

selbstjustiertes Ätzverfahren zur verwirklichung der wortleitungen integrierter halbleiterspeicherbauelemente
self-aligned etching process to realize word lines of semiconductor integrated memory devices