Sie suchten nach: ladungsträgerdichte (Deutsch - Englisch)

ladungsträgerdichte
charge-carrier density

zuwachs der ladungsträgerdichte
charge-carrier density gradient

beeinflussung der ladungsträgerdichte im magnetfeld
magnetodensity effect

longitudinale beeinflussung der ladungsträgerdichte im magnetfeld
longitudinal magnetodensity effect

optische halbleiter-vorrichtung mit gesperrter ladungsträgerdichte
optical semiconductor apparatus with locked charge carrier density

quantum-well-laser mit erhÖhter ladungstrÄgerdichte.
quantum well laser with charge carrier density enhancement.

formula_15 die gleichgewichts-ladungsträgerdichte des halbleiters.
==see also==*debye–falkenhagen effect==references====further reading==

messmethode der ladungsträgerdichte eines halbleiters, sein herstellungsverfahren und halbleiterscheibe
method of measuring carrier concentration of semiconductor, process of manufacturing semiconductor device and semiconductor wafer

verfahren zur bestimmung der ladungstrÄgerdichte in materialien, besonders in halbleitern
method of determining the charge carrier concentration in materials, notably semiconductors

denn die anzahl der ladungsträger im leiter ist das produkt aus ladungsträgerdichte n, leiterquerschnitt a und der länge s des im magnetfeld befindlichen leiterabschnitts.
as the number of charge carriers in the conductor is the product of the density n of the charge carriers, the conductor cross-section a and the length s of the section of the conductor within the magnetic field.

halbleitende spininjektoren besitzen den zusätzlichen vorteil, dass der ferromagnetismus in halbleitern über die ladungsträgerdichte variabel einstellbar ist [16, 17].
semiconducting spin injectors have the additional advantage that the ferromagnetism in semiconductors is adjustable through the carrier density [16, 17].

sie beabsichtigt im gegensatz zur magnetoelektronik, die magnetischen eigenschaften über die ladungsträgerdichte zu modifizieren, spin-optoelektronische bauelemente zu realisieren und neuartige quantenbauelemente zu entwickeln.
the goal is the control of single spins by optical or electrical methods and to couple spin pairs. it intends, in contrast to the magneto-electronics, to modify the magnetic properties through the carrier density to realize spin-optoelectronic devices and to develop new quantum devices.

die beleuchtungsintensität wird für die pl-oc messung erniedrigt, um gleiche ladungsträgerdichten in der basis wie bei der pl-sc messung zu gewährleisten.
the illumination intensity is reduced for the pl-oc measurement to maintain the same charge carrier densities within the bulk as in the pl-sc measurement.