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bei einem derartigen cmos-sensor wird das ein sensorelement beaufschlagende licht in eine fotoelektrische ladung und dadurch letztlich in ein spannungssignal umgesetzt, dessen wert während der dauer der lichtbeaufschlagung zunimmt.
[0087] in such a cmos sensor, the light acting on a sensor element is transformed into a photoelectric charge and thereby, ultimately, into a voltage signal, whose value increases during the time of the light exposure.

außerdem ist jedem sensorelement 55, 61 ein speicherelement, beispielsweise in form eines kondensators zugeordnet, in den jeweils die für das betreffende sensorelement 55, 61 erzeugte fotoelektrische ladung verschoben werden kann. die speicherelemente sind dabei so verschaltet bzw. ansteuerbar, dass nach diesem ladungstransfer innerhalb der speicherelemente auch bei weiterer lichtbeaufschlagung des sensors 31 keine weitere erhöhung des jeweiligen empfangssignals erfolgt.
moreover, there is associated with each sensor element , a memory element, for example in the form of a capacitor, into which the photoelectric charge produced in each case for the sensor element , in question can be displaced, with the memory elements being connected or controllable such that no further increase of the respective received signal takes place in the memory elements after this charge transfer even with a further light exposure of the sensor .