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organisches lichtemissionselement
element electroluminescent organique

breitband-lichtemissionselement
dispositif electroluminescent bande large

lichtemissionselement mit elektrischem feld
element luminescent a champ electrique

nitrid-halbleiter-lichtemissionselement
element electroluminescent semi-conducteur a nitrure

lichtemissionselement, herstellungsverfahren dafÜr und lichtemissionsvorrichtung
element electroluminescent, son procede de production et appareil electroluminescent

halbleiter-lichtemissionselement und herstellungsverfahren dafÜr
ÉlÉment semi-conducteur Émettant de la lumiÈre et mÉthode de fabrication de celui-ci

gehÄuse fÜr ein lichtemissionselement und herstellungsverfahren dafÜr
enceinte pour element photo-emetteur et procede de fabrication

lichtemissionselement, lichtemissionseinrichtung und diese verwendende oberflÄchenemissionsbeleuchtungseinrichtung
element electroluminescent, dispositif electroluminescent et dispositif d'eclairage par emission de surface utilisant ledit element

halbleiter-lichtemissionselement und dieses verwendende lichtemissionseinrichtung
element electroluminescent semi-conducteur et dispositif electroluminescent utilisant un tel element

herstellungsverfahren fÜr ein halbleiter-lichtemissionselement und halbleiter-lichtemissionselement
procÉdÉ de production d'un ÉlÉment Électroluminescent semi-conducteur et ÉlÉment Électroluminescent semi-conducteur

bilderzeugungsgerät nach anspruch 1, bei dem die aufzeichnungselemente jeweils ein lichtemissionselement umfassen.
appareil de formation d'image selon la revendication 1, dans lequel l'élément d'enregistrement comprend un élément d'émission de lumière.

halbleiter-lichtemissionselement, das auf einem klaren oder durchsichtigen substrat ausgebildet ist
element emetteur de lumiere a semi-conducteurs forme sur un substrat incolore ou translucide

verfahren zur erzeugung ballistischer elektronen und festes halbleiterelement fÜr ballistische elektronen und lichtemissionselement und anzeigeeinrichtung
production d'electrons balistiques, element semi-conducteur solide a electrons balistiques, element luminescent et dispositif d'affichage

aufzeichnungskopf nach anspruch 1, bei dem das lichtemissionselement-array (110) eine selbstabtastschaltung beinhaltet.
tête d'enregistrement selon la revendication 1, dans laquelle ledit groupement d'éléments émetteurs de lumière (110) renferme un circuit d'auto-balayage.

einrichtung nach einem der ansprüche 18 oder 19, bei der eine auf dem chip angeordnete linse auf jedem lichtemissionselement und/oder jedem lichtempfangselement bereitgestellt ist.
dispositif selon l'une ou l'autre des revendications 18 et 19, dans lequel une lentille intégrée à la puce est réalisée sur chaque élément émetteur de lumière et/ou chaque élément récepteur de lumière.

eine pulsbreiten-steuerungseinheit nach anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass das lichtemissionselement durch einen halbleiter-laser gebildet ist.
unité de commande de largeur d'impulsion selon la revendication 19, caractérisée en ce que ledit élément émettant de la lumière est formé par un laser semi-conducteur.

einrichtung und verfahren zur zwei-lichtfluss-interferenzbelichtung, verfahren zur herstellung eines halbleiter-lichtemissionselements und halbleiter-lichtemissionselement
dispositif et procede d'exposition d'interference de deux flux lumineux, procede de fabrication d'un element electroluminescent a semi-conducteurs et element electroluminescent a semi-conducteurs

steuergerät für eine optische vorrichtung vom typ einer imitationswaffe gemäß anspruch 1, wobei die optische vorrichtung (50) ein lichtemissionselement zum emittieren eines laserlichtstrahls umfasst.
mécanisme de commande de dispositif optique du type d'une arme factice selon la revendication 1, dans lequel le dispositif optique (50) comprend un élément émettant de la lumière destiné à émettre un faisceau de lumière laser.

integrierte einrichtung nach anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das lichtemissionselement (50) einen wellenleiter aufweist und beide endabschnitte des wellenleiters mit antireflektionsbeschichtungen versehen ist.
dispositif intégré selon la revendication 1, caractérisé en ce que : ledit élément émetteur de lumière (50) comporte un guide d'onde, et en ce que les deux parties d'extrémité du guide d'onde sont pourvues de revêtements antiréfléchissants.

einrichtung nach anspruch 13 und einem der ansprüche 14 bis 17, sofern von anspruch 13 abhängig, bei der jeder pixelabschnitt ein auf einem chip ausgebildetes, siliziumhaltiges lichtemissionselement umfaßt, und bei der die photoelektrischen umwandlungselemente auf demselben chip ausgebildet sind.
dispositif selon la revendication 13 et l'une quelconque des revendication 14 à 17, lorsqu'elles dépendent de la revendication 13, dans lequel chaque partie formant pixel comprend un élément émetteur de lumière contenant du si formé sur une puce et dans lequel les éléments de conversion photoélectrique sont formés sur la même puce.