Sie suchten nach: gallija (Lettisch - Englisch)

gallija
gaul

“gallija arsenīds
‘gallium arsenide

gallija (67ga) citrāts
gallium (67ga) citrate

sudraba gallija selenīds (aggase2);
silver gallium selenide (aggase2);

iii/v gallija vai indija savienojumiem.
iii/v compounds of gallium or indium.

sudraba–gallija selenīds (aggase2); vai
silver gallium selenide (aggase2); or

hafnija, niobija, rēnija un gallija lūžņi
scrap of hafnium, niobium, rhenium and gallium

d. gallija vai indija “iii/v savienojumiem”.
d. “iii/v compounds” of gallium or indium.

hafnija, indija, niobija, rēnija un gallija lūžņi
scrap of hafnium, indium, niobium, rhenium and gallium

hafnija, niobija, rēnija, gallija un indija izstrādājumi, kas citur nav minēti
articles of hafnium "celtium", niobium "columbium", rhenium, gallium and indium, n.e.s.

hafnija, indija, niobija, rēnija un gallija lūžņi torija lūžņi no b1010:
bangladesh

sudraba-gallija selenīds (aggase2) (cas 12002-67-4); vai
silver gallium selenide (aggase2) (cas 12002-67-4); or

alumīnija, gallija un indija organiskie savienojumi ar tīrības pakāpi (metāla bāzei) augstāku par 99,999 %;
organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium having a purity (metal basis) better than 99,999 %;

alumīnija, gallija un indija organiskie savienojumi, tīrības pakāpe (metāla bāzei) augstāka par 99,999 %;
organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium having a purity (metal basis) better than 99,999 %;

lielas fotogalvaniskās spēkstacijas, kurās izmanto vara indija gallija selenīda (cigs) elementus, ar 40 mw nominālo jaudu.
large-scale copper indium gallium (di)selenide (cigs)-based photovoltaics power plants with nominal capacity 40 mw.

3c005 pozīcijā minētie "substrāti" ar vismaz vienu silīcija karbīda, gallija nitrīda, alumīnija nitrīda vai alumīnija gallija nitrīda epitaksiālo slāni.
"substrates" specified in 3c005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.

005. pozīcijā minētie “substrāti” ar vismaz vienu silīcija karbīda, gallija nitrīda, alumīnija nitrīda vai alumīnija gallija nitrīda epitaksiālo slāni.
“substrates” specified in 3c005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.

3c005 pozīcijā minētie "substrāti" ar vismaz vienu silīcija karbīda, gallija nitrīda, alumīnija nitrīda vai alumīnija gallija nitrīda epitaksiālo slāni.
"substrates" specified in 3c005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.

gallijs
gallium